Метод - рекристаллизация
Cтраница 1
 |
Последовательность создания полной диэлектрической изоляции методом локальной гомоэпитаксии. [1] |
Метод рекристаллизации из расплава заключается в следующем. Слой поликристаллического кремния, нанесенный на диэлектрик, рекристаллизуется из расплава с образованием монокристаллического кремния. При этом используются два способа нагрева: способ движущейся расплавленной зоны и способ, предусматривающий использование импульсного источника нагрева, которому подвергается вся поверхность образца. [2]
 |
Схема кристаллизации ии растьора в расплаве. 1 - 3 5, 4-тигель.| Схема кристаллизации методом гидротермального синтеза. 1-а 5, 4 - вещество для кристаллизации. [3] |
Метод рекристаллизации основан на диффузии вещества в образцах, подвергнутых предварительной деформации. При атом одни зерна, составляющие исходный полпкристаллич. Этим методом получают гл. [4]
Метод рекристаллизации обычно используют для получения монокристаллов некоторых металлов. [5]
Методом изотермической рекристаллизации с подтравливанием были выращены слои толщиной от 0 2 до 0 4 мкм p - A xGa1 xAs с изменением состава от х 0 9 до х - 0 по глубине. Помещенный над подложкой п - GaAs раствор Ga - Al - Zn был слегка недонасыщен. [6]
Хорошие результаты получены методом рекристаллизации. При этом пленки кремния наносят на холодную подложку, по которой затем сканирует узкий электронный луч, приводящий к рекристаллизации пленки с образованием монокристалла. [7]
В заключение следует отметить, что метод рекристаллизации применим главным образом для лабораторных исследований, для практических же целей этот метод мало пригоден, так как он совершенно изменяет структуру исследуемой детали. [8]
На рис. 5.25 показана структура КМОП, образованная методом рекристаллизации лазерным пучком. [10]
В качестве объектов исследования были выбраны монокристаллы технически чистого алюминия ( 99 95 / 0 А1), изготовленные методом рекристаллизации. [11]
Первоначально исследовалось главным образом влияние окружающей среды на механические свойства металлических монокристаллов, таких, как олово, свинец, цинк, алюминий, выращиваемых по методу П. Л. Капицы, И. В. Обреимова и методом рекристаллизации. В то же время при одинаковых температурах и скоростях деформации механические свойства твердых тел и особенно металлов могут меняться в довольно широком диапазоне в зависимости от распределения напряжений внутри образца. Как известно, обычные диаграммы деформации представляют собой усредненные значения сил и деформаций и дают весьма косвенное представление об истинном распределении напряженного и деформированного состояния внутри тела. Дело в том, что в процессе деформирования происходит превращение гомогенной механической системы в гетерогенную, причем это превращение заключается в основном в развитии дефектных участков структуры, всегда присутствующих в реальном твердом теле. [12]
 |
Растворимость As в жидком галлии [ Shen. / California, Stanford. Thesis, Dep. Electr. Eng., 1976 ]. [13] |
Для улучшения характеристик полупроводниковых устройств существует несколько вариантов жидкофазного выращивания. С помощью метода рекристаллизации с тыльным подтравливанием [ Woodall, Hovel, 1977 ] в одном технологическом цикле осуществляют геттерирова-ние и выращивание слоя AlxGa. [14]
Страницы: 1