Метод - травление
Cтраница 1
Метод травления состоит в изучении фигур травления концов доменов, имеющих противоположную полярность. В силу этой полярности скорость травления и фигуры травления на противоположных концах различны. В электролюминесцентном методе используется то обстоятельство, что из-за высокой емкости переполяризующихся участков сегнетоэлектриков люминифор светится именно в тех участках конденсатора, в которых домены подвижны. [1]
Метод травления обладает рядом преимуществ. Он ке требует сложного оборудования, отличается низкой трудоемкостью и обеспечивает быстрое налаживание производства и быстрый переход производства от одних схем к другим, позволяет получить четкий рисунок схемы, высокое качество проводников создает условия для изготовления миниатюрных печатных плат с мелким рисунком, у которых ширина проводников составляет десятые доли миллиметра. [2]
Метод травления, использующийся для обнаружения дефектов кристаллов, основан на большей реакционной способности или растворимости менее совершенного кристаллического вещества или аморфных частей образца. [3]
Метод травления основан на принципе дифференциального растворения и набухания различных структурных составляющих волокна. [4]
Метод травления ( или разжижения) основан на фиксировании времени растворения слоя покрытия при нанесении на него капли растворителя. [5]
Метод травления позволяет выявить только точки выхода дислокаций на поверхность, и поэтому он ограничен в применении. Далее мы рассмотрим метод, которым можно выявлять дислокации по всей их длине и который, следовательно, пригоден для изучения всей геометрии распределения дислокаций в кристалле. [6]
Метод травления позволяет в лучшем случае определять температуры плавления олигомеров, которые должны быть соответствующим образом исправлены, как описано в разд. [7]
 |
Схема движения дислокационного диполя под действием растягивающего напряжения о. [8] |
Метод травления для определения плотности дислокаций в кристаллах был за последние годы развит до высокого совершенства для кристаллических полупроводников в связи с тем, что их электрические свойства очень сильно зависят от концентрации дислокаций. В табл. 15.1 приведены травители дислокаций для различных групп веществ. [9]
Метод травления с помощью электронного луча ускоряет процесс производства полупроводниковых приборов. Разрешающая способность, получаемая при таком травлении, превышает разрешающую способность, достигаемую с помощью обычных методов фототравления. Это означает, что электроннолучевая технология приведет к разработке высокочастотных приборов меньших размеров и более сложных интегральных схем. [10]
Метод травления Фрая особенно удобен для изучения расположения поверхностей скольжения во внутренних областях образцов из мягкой стали. Два других метода используются обычно для того, чтобы сделать поверхности скольжения видимыми на поверхностях деформированных образцов. Примеры слоев течения, проявленных по методу Фрая, приведены в гл. Две фотографии, представленные на фиг. [11]
Аммиачно-углекислотный метод травления не перспективен. Его применение мыслимо лишь при комбинировании с производством аммиачной соды. [12]
Гидриднонатриевый метод травления применяют для удаления окалины с поверхности деталей из нержавеющих сталей различных марок, сплавов на основе титана, никеля и других металлов, нерастворяющихся в щелочах. [13]
Метод травления углублений при помощи инъекции носителей заряда дает очень хорошие результаты в случае полупроводников электронной проводимости. [14]
 |
Постановка перемычек. [15] |
Страницы: 1 2 3 4