Cтраница 1
Метод газовой электронографии может быть использован для изучения структур любых частиц, независимо от их заряда и наличия или отсутствия неспаренных электронов, если они могут быть получены в рассеивающем объеме в достаточных для исследования количествах. [1]
Метод газовой электронографии может применяться для изучения молекул при сверхзвуковом истечении струи пара исследуемого вещества, что открывает возможности исследования процессов кристаллизации соединений из газовой фазы и потенциалов межмолекулярного взаимодействия. [2]
Метод газовой электронографии основан на анализе интенсивностей рассеяния быстрых электронов свободными молекулами исследуемого вещества. [3]
Методом газовой электронографии обычно получают параметры га - или / - g - структуры. Здесь / а - расстояние между средними положениями ядер в состоянии теплового равновесия, га - то же в основном колебательном состоянии ( в микроволновой спектроскопии эта же величина обозначается гг), Ту - усредненное по температуре значение межъядерного расстояния. В экспериментальных работах последних лет указывается, какая именно структура определена, в более ранних работах такие указания отсутствуют, но точность данных при этом такова, что различия в указанных параметрах лежат в пределах экспериментальных погрешностей. [4]
Развитие метода газовой электронографии в настоящее время идет по пути повышения точности определения геометрических параметров молекул, а также использования этого метода для получения новых характеристик. [5]
Кроме структурной, метод газовой электронографии может давать и другую ценную информацию. Так, например, средние амплитуды колебаний, получаемые в электронографическом эксперименте, могут быть использованы для нахождения характеристик силового поля и частот колебаний молекул. [6]
В основе теории метода газовой электронографии лежит решение квантово-механической задачи по рассеянию пучка быстрых электронов на молекулах исследуемого пара или газа. [7]
Таким образом, прямая задача метода газовой электронографии рассматривает рассеяние на молекуле как системе атомов. [8]
Поскольку интенсивность рассеяния пропорциональна концентрации конформеров, метод газовой электронографии позволяет найти в благоприятных случаях конформационный состав, а также при изменении температуры исследуемого вещества - термодинамические параметры: разности энтальпий и энтропии изомеров. [9]
Молекулярная структура газообразного трихлорида висмута определена в [182] методом газовой электронографии при температуре сопла испарителя 185 С. [10]
Наконец, исследование строения молекулы дибензолхрома в парах методом газовой электронографии [74] привело к заключению, что молекула обладает симметрией D6h причем длины связей углерод - углерод 1 423 0 002 А, углерод - водород 1 090 0 005 А, хром - углерод 2 150 0 000 А, а если разница в длинах связей углерод - углерод и существует, то не превышает 0 02 А. [11]
Для молекулы цис - ис-циклодекадиена-1 6 ( LXXVI) методом газовой электронографии [204] также была найдена симметричная конформация. [12]
Соединения ( III) - ( VII) изучены методом газовой электронографии, ( VIII) - ( XIX) - методом рент-геноструктурного анализа. [13]
Необходимо иметь в виду, что кроме принципиальной возможности определения структуры молекул методом газовой электронографии важным фактором является время проведения исследования. Для относительно простых веществ полное исследование может быть завершено за несколько недель. Изучение сложных молекул требует иногда времени больше года. [14]
Последующее совершенствование экспериментальной техники и развитие теории как прямой, так и обратной задачи метода газовой электронографии существенно повысило точность определения геометрических параметров молекул и расширило возможности метода при исследовании относительно сложных молекул. [15]