Метод - молекулярно-лучевая эпитаксия
Cтраница 1
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии предполагает, что монокристаллический эпитаксиальный слой AIXIBV наносится на поверхность подложки в результате напыления молекулярным пучком в сверхвысоком вакууме. Этот метод позволяет точно контролировать толщину эпитаксиального слоя путем управления количеством напыляемого материала, переносимого молекулярным пучком на подложку. Кроме того, он дает возможность измерения толщины и кристалличности эпитаксиального слоя за счет применения в процессе наращивания метода дифракции электронных лучей. [1]
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии, требующий применения сложного дорогостоящего оборудования, в основном используется для проведения фундаментальных исследований процесса эпитаксиального осаждения и в некоторых областях микроэлектроники. Несомненно, представляет интерес идея использования сфокусированных пучков пара, процесс конденсации которых можно регулировать, для изучения многопереходных солнечных элементов новой структуры или нового типа. [2]
Структуры были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии [15] на полу изолирующих подложках GaAs Сг. Они состояли из последовательно выращенных слоев: номинально нелегированного GaAs толщиной 1 мкм, нелегированного А10о3 Ga0o7As толщиной 10 - 15 нм, - Al0a3Ga0o7 As Si толщиной 140 нм и GaAs толщиной 20 нм. [3]
Образцы для измерений были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии [ И ] и состояли из монокристаллических слоев нелегированного GaAs толщиной 1 мкм, нелегированного A1Q 3GaQ 7As толщиной 500 А, легированного кремнием Al0i3Gi0 7As толщиной 600 А и легированного кремнием GaAs толщиной 200 А, последовательно выращенных на подложках из изолирующего GaAs. [4]
Этот метод так же, как и метод молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяет точно контролировать толщину полупроводникового эпитаксиального слоя. [5]
В современном материаловедении полупроводников используют эпитаксиальную технологию, прежде всего гетероэпи-таксию кремния и полупроводниковых соединений на изолирующих подложках. Здесь весьма перспективно освоение метода молекулярно-лучевой эпитаксии. [6]
 |
Изменение энергии прямых и непрямых переходов в твердых растворах. [7] |
Как видно из таблицы, светоизлучающие структуры на основе полупроводниковых соединений A BV и твердых растворов создают в основном методом эпитаксии в газовой ( ГФЭ) или жидкой ( ЖФЭ) фазе в двухстадийном процессе или комбинацией эпитаксии и диффузии. В последнее время находит применение также метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Однако ввиду того что используемая в этом методе аппаратура сложна, а отработка режимов эпитаксии в условиях серийного производства затруднена, молекулярно-лучевая эпитаксия пока не вышла за рамки лабораторных исследований. [8]
Поскольку ДОБЭ-эксперименты проводятся при Скользящем падении пучка, то это очень удобно для наблюдения дифракционных картин в ходе осаждения каких-либо материалов на поверхность. Действительно, использование ДОБЭ в ходе выращивания тонких слоев на поверхности методом молекулярно-лучевой эпитаксии ( МЛЭ) превратилось уже в стандартный метод. Что представляет здесь интерес, так это то, что интенсивность ДОБЭ-пучков может осциллировать по мере того, как материал осаждается на гладкую монокристаллическую поверхность. Осцилляции наблюдаются только тогда, когда осаждаемый материал растет монослой за монослоем, а не путем образования зародышей и роста малых островков. [9]
 |
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии. 1 - подложка. 2 - сетка. 3 - источник кремния. 4 - источник примеси. 5 - устройство откачки для создания сверхвысокого вакуума. 6 - нагреватель. [10] |
Поскольку молекулярно-лучевое наращивание кремния может производиться при относительно низкой температуре ( 600 - 800 С), явлением автодиффузии, неизбежным при газофазной эпитаксии, можно пренебречь. Кроме того, легирование эпитаксиального слоя примесью в этом методе производится одновременно с молекулярно-лучевым наращиванием, причем достаточно произвольно, что позволяет реализовывать самые различные профили распределения примеси. Все это по-настоящему вошло в практику только после 1980 г. Технические средства и оборудование для получения сверхвысокого вакуума, управления напылением кремния и примесей дорогостоящи, производительность метода низка, поэтому в настоящее время для Si-подложек большого диаметра метод мо-лекулярно-лучевого наращивания не может заменить газофазную эпитак-сию. Однако низкотемпературные процессы нужны в производстве, поэтому, возможно, метод молекулярно-лучевой эпитаксии найдет применение при изготовлении СБИС. [11]
А, давление к-рых составляет 32 7 кПа при 800 - 900 С. Монокристаллы выращивают по методу Чох-ральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа ( Аг, Не, Ы2) при давлении 40 - 50 кПа ( осн. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра 1пА в расплаве 1п при 650 - 700 С; осаждением из газовой фазы: пары А8С1Э или НС1 пропускают над расплавом 1п, образовавшиеся при этом хлориды 1п переносятся в зону р-ции и взаимод. А С13 или А Н3 при 700 С, давая 1пА; методом молекулярно-лучевой эпитаксии ( р-цией мол. Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников п - или р-типа используют добавки соотв. [12]
Страницы: 1