Метод - газофазная эпитаксия
Cтраница 1
Метод газофазной эпитаксии подразделяется на эпитаксию при обычном давлении, эпитаксию при низком давлении и эпитаксию в плазме. [1]
 |
Газофазное эпитак-сиальное наращивание слоя вольфрама при температуре 350 С и давлении 0 26 - 10 1 Па. [2] |
Метод газофазной эпитаксии применяется чрезвычайно широко. В кремниевых ИС этим способом формируются изолирующие слои, наносятся различные металлы и силициды металлов. В отличие от вакуумного напыления алюминиевых слоев метод газофазной эпитаксии позволяет получить однородный по толщине и сложный по форме слой на лицевой поверхности при высокой производительности нанесения слоя. Давно уже опробованы, например, термическое разложение триметилалю-миния и трибутилалюминия, однако стадия практического применения еще не достигнута. В условиях современной тенденции уменьшения размеров элементов применение электрической разводки из поликристаллического кремния с его высоким электрическим сопротивлением сдерживает повышение быстродействия приборов. [3]
Широкое развитие получил метод газофазной эпитаксии из металлорганических соединений ( МОС), которым, например, получают монокристаллические слои соединений АШВУ. [4]
Слои Si02, полученные методом газофазной эпитаксии, проигрывают по качеству термическим окисным слоям, поэтому тюдзатворные изолирующие слои МОП-транзисторов этим методом не изготовляют. Газофазное наращивание БЮг проводят при относительно низкой температуре, поэтому этот метод чрезвычайно широко используется в планарной технологии производства ИС для создания изоляции между активными элементами, между электродами и между линиями электрической разводки, SiO, легированный примесью, служит источником диффузии. Поэтому расплавляя, его используют как защитное покрытие, сглаживающее на лицевой поверхности ИС множество выступов и углублений. Этот материал используется в виде защитного слоя лицевой поверхности ИС, который наносится поверх алюминиевой разводки и служит в качестве геттера. [5]
 |
Условия получения пленок некоторых ферритов-шпинелей при разложении галогенидов металлов. [6] |
Первые ферритовые пленки, выращенные методом газофазной эпитаксии, характеризовались значительной концентрационной неоднородностью по толщине, что обусловлено различиями в давлениях насыщенных паров галогенидов, находящихся при одинаковой температуре. Позже Линаресом создана установка, обеспечивавшая разделение пространств с различными хлоридами. Пространства с парами FeCi3 и YCI3 были изолированы; в них поддерживались разные температуры: FeCl3 - 330 C; YC13 - 1050 С. [7]
К технологическим преимуществам метода жидкофазной эпитаксии по сравнению с конкурирующим методом газофазной эпитаксии следует отнести простоту аппаратурного оформления, отсутствие токсичных реагентов, высокую, обусловленную большими скоростями кристаллизации производительность и возможность регулирования в определенных пределах отклонения состава эпитаксиального слоя от стехиометрического. [8]
 |
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии. 1 - подложка. 2 - сетка. 3 - источник кремния. 4 - источник примеси. 5 - устройство откачки для создания сверхвысокого вакуума. 6 - нагреватель. [9] |
Однако и в случае эпитаксиального наращивания Si этот метод также приводит к иным результатам по сравнению с методом газофазной эпитаксии. [10]
Основным методом получения гетероструктур для солнечных элементов в системе Al - Ga - As является метод жидкофазной эпитак-сии ( ЖФЭ), хотя в последнее время начинает все шире использоваться метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. [11]
Использование термического разложения фторидов и хлоридов, а также восстановления водородом для формирования слоев W и Мо имеет давнюю историю, начиная, например, с практической реализации электрода Шоттки. В современной технологии для этих целей используется метод газофазной эпитаксии при низком давлении. Например, при нанесении W, как показано на рис. 4.37, смесь газов W1F6 и Аг или Н2 реагирует в камере газофазной эпитаксии при низком давлении при температуре 350 С. [12]
На рис. 4.55 приведен пример двухслойной разводки. В качестве изолирующего слоя для межслойной изоляции служит SiC2, полученный методом газофазной эпитаксии при низкой температуре ( до 550 С) или же методом распыления. Как показано на рисунке, место контакта 1 верхнего и 2 нижнего слоя А1 сдвинуто относительно контактного окна 1 слоя At к диффузионному слою. Как рассматривалось в разделе 4.6, при замене А1 слоем W, формируемым методом газофазной эпитаксии, эти два контакта могут быть расположены непосредственно один над другим, что позволяет повысить плотность разводки. [13]
В настоящее время достигнуты значительные успехи в разработке светодиодов на основе GaAsj - Px - самого дешевого материала для светодиодов, так как он легко получается методом газофазной эпитаксии на подложках из арсенида галлия, который, в свою очередь, является наиболее качественным и доступным материалом. Промышленный выпуск светодиодов освоен в большом масштабе. [14]
Метод газофазной эпитаксии применяется чрезвычайно широко. В кремниевых ИС этим способом формируются изолирующие слои, наносятся различные металлы и силициды металлов. В отличие от вакуумного напыления алюминиевых слоев метод газофазной эпитаксии позволяет получить однородный по толщине и сложный по форме слой на лицевой поверхности при высокой производительности нанесения слоя. Давно уже опробованы, например, термическое разложение триметилалю-миния и трибутилалюминия, однако стадия практического применения еще не достигнута. В условиях современной тенденции уменьшения размеров элементов применение электрической разводки из поликристаллического кремния с его высоким электрическим сопротивлением сдерживает повышение быстродействия приборов. [15]
Страницы: 1 2