Метод - жидкофазная эпитаксия
Cтраница 1
Метод жидкофазной эпитаксии имеет много общего с методом изготовления сплавных р-л-переходов, широко используемых в технологии полупроводникового приборостроения. В отличие от последнего первый метод позволяет получать эпитаксиальные слои полупроводников большой площади толщиной от долей до сотен микрометров, легировать эпитаксиальные слои с заданным распределением примеси по толщине слоя; получать эпитаксиальные слои трех -, четырехкомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений с заданным распределением компонентов по толщине слоя; изготовлять многослойные эпитаксиальные гетероструктуры. [1]
Сущность метода жидкофазной эпитаксии состоит в приведении в контакт подложки с пересыщенным раствором полупроводника в легкоплавком металле-растворителе. Поскольку в металлургической литературе все высокотемпературные растворы как на металлической, так и на неметаллической основах принято именовать расплавами, то в дальнейшем раствор-расплав будет именоваться просто расплавом. В результате контакта подложки с пересыщенным расплавом растворенный в нем полупроводник выкристаллизовывается на подложке в виде эпитаксиального слоя. Толщина его зависит от объема расплава, температурного интервала его охлаждения или времени нахождения расплава в градиенте температур и площади подложки. [2]
К недостаткам метода жидкофазной эпитаксии следует отнести неизбежное присутствие в пленке компонентов растворителя и материала кристаллизатора. [3]
К технологическим преимуществам метода жидкофазной эпитаксии по сравнению с конкурирующим методом газофазной эпитаксии следует отнести простоту аппаратурного оформления, отсутствие токсичных реагентов, высокую, обусловленную большими скоростями кристаллизации производительность и возможность регулирования в определенных пределах отклонения состава эпитаксиального слоя от стехиометрического. [4]
При выращивании GaP методом жидкофазной эпитаксии почти насыщенный раствор GaP ( в жидком Ga) приводят в контакт с затравкой из GaP ( подложкой), а изменение температуры программируют так, чтобы создать пересыщение, при котором на затравке растут сравнительно тонкие, нужным образом активированные слои. [5]
Процесс получения ферритовых пленок методом жидкофазной эпитаксии существенно зависит от структуры пересыщенного раствора. [7]
 |
Распределение плотности п дислокаций по толщине Л пленок в зависимости от их состава ж и скорости роста V. [8] |
При получении пленок феррограната методом жидкофазной эпитаксии возможны и другие виды дефектов, связанные с вхождением в пленку компонентов растворителя. Избавиться от таких дефектов исключительно трудно, а иногда и невозможно. Несомненно, что, применяя особо чистые исходные материалы, можно свести к минимуму дефектность выращиваемых пленок. Свинец входит в состав пленки как двухвалентная примесь, приводя к появлению ионов Fe2, ухудшающих электрические, магнитные и другие свойства. [9]
Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные ге-тероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Дп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев - 25 - 30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [10]
Вторым распространенным способом изготовления светодиодов из фосфида галлия является метод жидкофазной эпитаксии. Подложкой служит монокристалл фосфида галлия / 7-типа, выращенный из расплава и легированный цинком и кислородом. На него методом жидкофазной эпитаксии наращивается слой фосфида галлия га-типа, легированный цинком и кислородом. Переход образуется внутри эпитаксиального слоя в результате диффузии цинка из подложки. [11]
Другим распространенным способом изготовления светодиодов из фосфида галлия является метод жидкофазной эпитаксии. Подложкой служит монокристалл фосфида галлия / г-типа, выращенный из расплава и легированный теллуром. На него методом жидкофазной эпитаксии наращивается слой фосфида галлия n - типа, легированный теллуром и азотом. [12]
На примере антимонида галлия изучены особенности сложного ( примесями РЗМ и элементами II и IV групп) легирования соединений А3В5 при формировании гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. [13]
 |
Магнитооптические свойства промышленных монокристаллов. [14] |
Их магнитные и магнитооптические свойства ( на длине, волны А1 15 мкм) приведены в табл. 2.40. Лучший эффект дает использование эпитаксиальных пленок, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии из раствора. [15]
Страницы: 1 2