Метод - вытягивание
Cтраница 4
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. [46] |
Выращивание монокристаллов германия, кремния и ряда других веществ методом вытягивания из расплавов ( рис. 6.5, г) является в настоящее время наиболее распространенным при промышленном производстве больших монокристаллов с контролируемыми и воспроизводимыми свойствами. [47]
 |
Схема установки для вытягивания монокристаллов германия из расплава. [48] |
Второй этап состоит в получении из очищенного материала монокристаллов методом вытягивания из расплава в вакууме или в среде инертного газа. Если медленно поднимать затравку, продолжая вращение, то за ней будет тянуться кристаллизирующийся столбик расплава, который, охлаждаясь, образует вместе с исходной затравкой монокристалл. Изменением скорости вытягивания и температуры расплава удается, в известной степени регулировать диаметр монокристалла. Электронно-дыроч-цые переходы могут быть получены несколькими методами. [49]
Ситалловые трубы, показанные на рис. 113, получены методом вытягивания из производственной ванной стекловаренной печи непрерывного действия. [50]
Стеклянные трубы изготовляют из безборного малощелочного стекла N 13в методом вертикального безлодочного непрерывного вытягивания. Процесс производства слагается из следующих основных операций: подготовки шихты, варки стекла, вертикального вытягивания, отжига труб, обрезки ц обработки их торцов. [51]
При необходимости изготовления ампулы с узким горлом используют тот же метод вытягивания ампулы, что дан выше для вытягивания трубок. [52]
Крупные монокристаллы сульфида кадмия в настоящее время могут быть получены методом вытягивания из расплава. Отечественные установки уже сейчас позволяют выращивать монокристаллы весом до 300 г. По структурным свойствам эти кристаллы близки к полученным из газовой фазы, но содержат ряд примесей, поступающих в кристалл из материала тигля, таких, Таблица 2.1 как алюминий, медь, железо и ряд других. [53]
Складывается впечатление, что многие дефекты в кристаллах, выращенных методом вытягивания, возникают из-за кратковременных флуктуации температуры, почти всегда существующих в таких системах. Эта проблема заслуживает дальнейшего изучения, и как минимум во всех статьях, касающихся метода вытягивания из расплава, должна содержаться информация относительно постоянства температуры вблизи границы кристалл - расплав. Мюллер и Вильгельм [51] наблюдали аналогичные флуктуации при выращивании кристаллов InSb зонной плавкой, и это позволяет предполагать существование подобных температурных флуктуации, обусловленных нерегулярной конвекцией, в большинстве методов выращивания кристаллов из жидкой фазы в одно - и многокомпонентных системах и даже при выращивании кристаллов из газовой фазы. [54]
Для нанесения раствора на относительно большие плоскости применяют центрифужное нанесение или метод вытягивания ( см. гл. Один слой раствора дает пленку толщиной 0 05 - 0 2 мкм, многократное нанесение - до 1 - 2 мкм. [55]
 |
Различные схемы ориентационного вытягивания волокна. [56] |
В случаях формования волокна из солевых и азотнокислых растворов полимера этот метод вытягивания не применяется. [57]
Хорн [132] предложил метод кристаллизации, в некотором роде промежуточный между методом вытягивания и зонной плавкой. [58]
Страницы: 1 2 3 4