Метод - температурный градиент
Cтраница 1
 |
Схема установки Разрезная сфера 300 454. [1] |
Метод температурного градиента позволяет создать условия для стабильного роста монокристаллов алмаза на специально введенной затравке. В реакционной зоне ячейки высокого давления преднамеренно создается температурный градиент. Источник углерода ( алмаз или графит) помещается в область с более высокой температурой, а затравочные кристаллы алмаза - с более низкой. Источник углерода, находящийся при более высокой температуре, растворяется в расплаве металла, а углерод диффундирует через расплав и кристаллизуется на затравочных кристаллах алмаза при более низкой температуре. [2]
 |
Программы ( 1 - 5 намотки с послойным отверждением ( а и эпюры начальных радиальных напряжений в кольцах ( б, намотанных по соответствующим программам. [3] |
Метод температурных градиентов заключается в том, что создавая в процессах полимеризации и охлаждения градиенты температур, можно существенно изменить эпюру напряжений. [4]
При выращивании методом температурного градиента даже при скоростях вращения, достигающих 200 об / мин, скорость роста в ходе эксперимента постепенно уменьшается. [5]
Одним из методов определения коэффициента теплопроводности является метод температурного градиента. [6]
Повышение эффективности процесса выращивания алмаза на затравке методом температурного градиента является важной практической задачей. Ее решение может быть осуществлено посредством оптимизации параметров реакционной ячейки и созданием условий для получения кристаллов с заданными свойствами. [7]
Выращивание кристаллов из расплава производится двумя методами - изотермическим и методом температурного градиента. В первом случае весь расплав охлаждается до однородной температуры ниже точки плавления и кристалл полностью погружен в расплав. В случае выращивания методом температурного градиента расплав поддерживается при температуре плавления или при несколько более высокой температуре. Кристалл охлаждается и обычно вытягивается из расплава по мере роста. [8]
Поскольку температурные градиенты могут вызывать образование дислокаций, то, по-видимому, при выращивании кристаллов методом температурного градиента образуется больше дефектов, чем при изометрическом методе. [9]
Путем перекристаллизации поликристаллического или аморфного материала из гидротермальных растворов кристаллы выращивают двумя методами. Первый - метод температурного градиента, в котором один конец контейнера, где находится поликристаллический материал, поддерживается при несколько более высокой температуре, чем другой конец. Разница в растворимости при двух выбранных температурах и обусловливает кристаллизацию. [10]
В работах [3, 4] проведен термодинамический расчет солидуса системы для сплавов, богатых Si. Растворимость, определенная методом температурного градиента [4], равна 0 030 % ( ат. Эти данные согласуются с рассчитанным солидусом. Кривая, построенная в работе [3], расположена при более высоких концентрациях Ga: - - 0 23 % ( ат. [11]
Одним из методов определения коэффициента теплопроводности является метод температурного градиента. [12]
Крайне актуальной остается проблема получения высокочистых алмазов типа Па и ПЬ для использования в лазерной оптике, электронике и полупроводниковой технике. Изучены процессы роста высокочистых алмазов типа Па и ПЬ методом температурного градиента под давлением, получены кристаллы весом до 5 карат. [13]
Широко используется изотермический метод выращивания кристаллов при т-ре 380 - 410 С, а также метод температурного градиента, основанный на создании разности т-р в различных частях автоклава, что приводит к росту кристалла вследствие конвекционного движения раствора снизу вверх. [14]
Описанный инженерный вариант теории начальных напряжений позволяет проанализировать методы управления начальными напряжениями. Он является научной основой таких распространенных приемов, как программированная намотка, опрессовка, намотка с послойным отверждением, метод искусственных температурных градиентов, управление анизотропией и неоднородностью изделий. [15]
Страницы: 1 2