Конденсаторный метод

Cтраница 1

Конденсаторный метод полностью имитирует рабочие технологические условия: на окисленной поверхности кремния воспроизводится весь цикл процесса фотолитографии за исключением экспонирования; после проведения фотолитографии на поверхность ЗЮз наносятся контакты из алюминия в количестве N0; на контактные площадки и кремниевую подложку подается напряжение. Легко показать, что при достаточно малой плотности проколов d число дефектов, накрываемых диском алюминия, в подавляющем большинстве случаев не более одного. [1]

Конденсаторный метод был впервые применен еще Вольта для изучения контактной разности потенциалов. Впоследствии он неоднократно усовершенствовался - особенно существенно Кельвином [37], применившим потенциометрическую схему измерения, и Зисманом [38], сделавшим одну из пластин конденсатора вибрирующей и создавшим тем самым прототип современных динамических конденсаторов. Сущность метода состоит в преобразовании конечной разности потенциалов между рабочим электродом ( его иногда называют вибрирующим или эталонным электродом) и исследуемой поверхностью путем периодического изменения емкости конденсатора, образованного поверхностью рабочего электрода и исследуемой поверхностью. Если эти поверхности эквипотенциальны, то сигнал в индикаторной части электрической схемы отсутствует. [2]

Взаимовлияние переходных токов в двухпроводных линиях при. [3]

Конденсаторный метод симметрирования заключается в том, что компенсацию емкостной связи и емкостной асимметрии двух соединенных между собой кусков кабеля осуществляют включением дополнительных конденсаторов. [4]

Сущность конденсаторного метода сводится к следующему. Находящиеся в контакте и составляющие вольта-цепь проводящие фазы образуют обкладки плоского конденсатора. Заряд на обкладках зависит от значения возникшей в результате контакта вольтовой разности потенциалов и от емкости конденсатора; последняя, в свою очередь, зависит от расстояния между обкладками конденсатора. [5]

Одним из достоинств конденсаторного метода является измерение слитков в полиэтиленовой пленке, предохраняющей материал от загрязнений. [6]

Спектральное распределение фотопроводимости ZnO, окрашенной красителями. [7]

Далее специальными измерениями с помощью конденсаторного метода [10, 11 ] было установлено, что в исследуемых слоях носителями фототока в области сенсибилизации, так же как и в области собственной чувствительности полупроводника, в случае ZnO и AgBr являются электроны, а в случае ТП - дырки. [8]

Принципиальная схема.| Принципиальная схема дифференциального полярографа с электрическим дифференцированием. [9]

В 1948 г. Фогель и Ржига предложили конденсаторный метод регистрации дифференциальных кривых, который проще описанного выше, поскольку не требует двух одинаковых капельных электродов. Конденсатор Сь сопротивление 3 и гальванометр Г являются дифференцирующей цепью. [10]

На рис. 2.3 представлена принципиальная схема измерения компенсирующего напряжения конденсаторным методом для случая, когда исследуемая фаза представляет собой раствор электролита. [11]

Значительно труднее добиться хорошей воспроизводимости результатов измерений, получаемых конденсаторным методом. Связано это прежде всего с тем, что пары воды и другие летучие компоненты исследуемого раствора, а также вещества, Содержащиеся в окружающей атмосфере, могут адсорбироваться на поверхности вибрирующей пластинки, что приводит к изменению ее поверхностного потенциала и, в конечном счете, к неконтролируемым погрешностям в результатах измерений. [12]

Имеется много методов определения КРП, однако наиболее приемлемым является конденсаторный метод Кельвина. После его усовершенствования Зисманом он широко применялся в исследованиях физико-химических процессов, протекающих на поверхности металлов. [13]

При помощи такой системы электродов Миньоле [30] проверил результаты, полученные конденсаторным методом, и обнаружил прекрасное согласие в значениях поверхностных потенциалов для адсорбции Н2, О2, N2 и Хе на вольфраме, а также Хе на ртути. [14]

Функциональная схема измерения контактной рае-ности потенциалов. [15]

Страницы: 1 2 3