Дырка - эмиттер
Cтраница 1
Дырки эмиттера легко преодолевают понизившийся потенциальный барьер и за счет диффузии инжектируются в базу, а электроны базы - в эмиттер. Дырки эмиттера диффундируют в базе в направлении к коллекторному переходу за счет перепада плотности дырок по длине базы, большинство из них доходит до коллекторного перехода, а незначительная часть рекомбинирует с электронами базы. Для уменьшения потерь дырок на рекомбинацию базу делают тонкой. Распространяясь вдоль коллектора за счет перепада плотности вдоль коллектора, дырки достигают контакта коллектора и рекомбинируют с электронами, подходящими к выводу от источника. [1]
Через базу дырки эмиттера перемещаются за счет диффузии сравнительно медленно. Этот факт и наличие емкостей Cg и Сд обусловливают инерционность транзистора. [2]
Прошедшие базу дырки эмиттера, ускорявшиеся прежде полем § пк, переходят теперь в коллектор только за счет диффузии - благодаря тому, что их концентрация в базе выше, чем в коллекторе. Это обусловливает постепенное повышение концентрации дырок в базе у коллекторного перехода. [3]
Проследим за движением дырок эмиттера в транзисторе. [4]
Вследствие этого сокращается время прохождения дырок эмиттера через базу в область коллектора. Возрастает ток коллектора, но одновременно уменьшается ток базы ( ввиду сокращения ширины базы), что ведет к незначительным изменениям тока / 3 и сдвигам характеристик влево. Выходные или коллекторные характеристики транзисторов представляют зависимость / к / ( к) при / 3 const. При / э0 выходная характеристика аналогична характеристике диода для режима обратного напряжения. Величина тока коллектора / к при / э0 зависит от концентрации неосновных носителей тока в базе ( дырок) и коллекторе ( электронов) и при нормальных условиях составляет несколько микроампер. [5]
Усиление мощности основывается на том, что дырки эмиттера под воздействием внешнего поля беспрепятственно проходят через высокоомный коллекторный переход. При этом небольшие изменения тока базы вызывают значительные колебания напряжения и мощности нагрузки. [6]
 |
Статические выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ. [7] |
Из рассмотрения семейства входных характеристик, изображенных на рис. 25, видно, что небольшое изменение напряжения базы l / б приводит к значительному изменению тока базы / е - Это объясняется тем, что с ростом напряжения t / б увеличивается число дырок эмиттера, переходящих в базу и рекомбинирующих с электронами базы. Увеличение UK вызывает сдвиг характеристик вправо. [8]
Дырки эмиттера легко преодолевают понизившийся потенциальный барьер и за счет диффузии инжектируются в базу, а электроны базы - в эмиттер. Дырки эмиттера диффундируют в базе в направлении к коллекторному переходу за счет перепада плотности дырок по длине базы, большинство из них доходит до коллекторного перехода, а незначительная часть рекомбинирует с электронами базы. Для уменьшения потерь дырок на рекомбинацию базу делают тонкой. Распространяясь вдоль коллектора за счет перепада плотности вдоль коллектора, дырки достигают контакта коллектора и рекомбинируют с электронами, подходящими к выводу от источника. [9]
Для получения усилительного эффекта внешние источники Еэ и Ек включают так, чтобы для основных носителей уменьшить тормозящее поле эмиттерного перехода ( сместить переход в прямом направлении) и усилить тормозящее поле коллекторного перехода. При этом дырки эмиттера переходят в базу, большая часть их достигает границы база - коллектор, увлекается полем этого перехода ( которое для дырок является ускоряющим) и поступает в коллекторную область. [10]
С этого момента начинается рост не только тока коллектора, но и тока эмиттера. Увеличение тока дырок эмиттера обусловлено понижением потенциального барьера эмиттерного перехода, вследствие появления в области базы нескомпенсированного отрицательного заряда электронов. Последний возникает за счет того, что потенциальный барьер р-л-переходов препятствует свободному уходу электронов из базы. Рост тока дырок через эмит-терный переход и соответственно рост тока коллектора будет продолжаться до тех пор, пока повышение концентрации дырок ( соответственно и электронов) в базе, а значит и скорости рекомбинации, не приведет к тому, что ток базы будет идти только на рекомбинацию. После окончания импульса тока базы / б концентрация дырок в базе падает за счет рекомбинации и ухода в коллектор. Вследствие этого градиенты концентрации дырок на границах эмиттерного и коллекторного переходов уменьшаются, а значит уменьшаются токи эмиттера и коллектора. [11]
Через транзистор происходит сквозное движение дырок от эмиттера через базу к коллектору и лишь незначительная часть их из-за рекомбинации с электронами базы не доходит до коллектора. Часть электронов базы, рекомбинировавших с дырками эмиттера, восполняется электро-нами источника, которые посту-пают в базу через ее вывод. [12]
Электроны эмиттера и коллектора, а также дырки базы такой структуры находятся в потенциальных ямах, причем переход в смежную область могут совершать только носители заряда, обладающие достаточно высокой тепловой энергией. Кроме того, электроны базы, а также дырки эмиттера и коллектора находятся на потенциальных барьерах, с которых они могут свободно переходить в смежные области. [13]
Как бы там ни было, но при таком распределении напряжений переход эмиттер - база питается в проводящем направлении. Это значит, что отталкиваемые положительным полюсом источника питания дырки эмиттера неудержимо устремляются через р - n переход в базу. [15]
Страницы: 1 2