Широко распространенный метод

Cтраница 4

Другой широко распространенный метод получения оксисоедине-ний, годных для получения поверхностноактивных сульфоэфиров, заключается в ацилировании аминогруппы низкомолекулярных амино-оксисоединений высшими жирными кислотами. [46]

Наиболее широко распространенный метод синтеза металлоценов заключается в реакции цпклопентадиенид-анионов с производными металлов. [47]

Другой широко распространенный метод построения булевых алгебр состоит в факторизации некоторой исходной алгебры. [48]

Это широко распространенный метод нанесения металлических покрытий, толщину которых варьируют в зависимости от назначения изделий. Он предполагает электропроводность металлизируемого предмета, поэтому пластмассы, являющиеся, как известно, прекрасными изоляторами, нуждаются в специальной подготовке. С этой целью в исходный акриловый материал можно ввести при его изготовлении токопроводящие вещества или дополнительно придать ему поверхностную электропроводность металлизацией изделия другим методом. Электропроводность акрилового полимера достигается введением неметаллических токо-проводящих веществ на основе углерода ( порошкообразного графита) в качестве наполнителей. Металлы для этого не подходят из-за большого удельного веса и сравнительно высокой стоимости. Перед гальванической металлизацией с изделия механическим путем снимают непроводящий поверхностный слой вместе с жиром и загрязнениями и покрывают слоем меда. Поскольку проводимость таких изделии наполовину меньше, чем металлических, плотность тока вначале для них должна быть соответственно ниже, чем для металлов. Чтобы избежать перегрева или обгорания материала, в местах закрепления деталей важно поддерживать малое переходное сопротивление. [49]

Наиболее широко распространенный метод электромоделирования кольцевых газовых сетей использует аналогию между прохождением тока в электрической сети и движением газа по кольцевой газовой сети. Применение электрической модели дает возможность свести гидравлические расчеты сети к измерению токов н падений напряжения в линиях электромоделн, что значительно упрощает и ускоряет расчеты. [50]

Изменение концентраций А, X и В, С и т. д. в процессе титрования. [51]

Другой широко распространенный метод определения конечной точки титрования основан на наблюдении за относительно резким изменением концентраций X или А вблизи точки эквивалентности по резкому изменению силы тока или разности потенциалов системы, регистрируемых с помощью точных измерительных приборов. [52]

Наиболее широко распространенный метод фотометрического определения малых количеств кремния основан на образовании кремнемолибденового комплексного соединения при взаимодействии кремневой кислоты с молибдатом аммония в кислом растворе. Некоторые исследователи измеряют оптическую плотность растворов желтого кремнемолибденового соединения [7, 9, 31], в то время как многие восстанавливают его, например, раствором SnQ2 в НС1 [16], гидроксиламином [20], сульфитом натрия [26], гидрохиноном [5], солью Мора [11], 1-амино - 2-нафтол - 4-сульфокислотой [2] и измеряют оптическую плотность полученной кремнемолибденовой сини. [53]

Наиболее широко распространенный метод фотометрического определения малых количеств кремния основан на образовании кремнемолибденовой гетерополикислоты с последующим ее восстановлением до молибденовой сини. [54]

Схемы процессов ЗКЖ ( а, б, нормальной направленной кристаллизации ( s и ЗКТ ( г. [55]

Применение широко распространенного метода зонной кристаллизации твердых веществ ( ЗКТ) для очистки низкоплавких соединений, в том числе жидких, при обычной температуре, основано на предварительной полной кристаллизации загрузки и последующем продвижении по ней одной или нескольких расплавленных зон. [56]

Наиболее широко распространенным методом является ориентированный спуск отклонителя с помощью бумажной ленты по меткам. [57]

Наиболее широко распространенным методом выращивания в многокомпонентных системах является, по-видимому, кристаллизация из растворов в расплавах солей, ибо если как следует поискать, то почти всегда можно подобрать для данного кристалла растворитель в виде расплавленной неорганической соли. При выращивании кристаллов в расплавленных неорганических солях, флюсах или расплавленных металлах используют высокую растворимость кристаллов тугоплавких соединений в неорганических солях и окислах при температурах, превышающих температуру плавления последних. В число обычных растворителей, используемых в виде расплавленных солей, входят KF, РЬО, В2Оз и их смеси. Обычно поступают так: компоненты в количестве, достаточном для образования кристалла, растворяют при температуре, несколько превышающей температуру насыщения, а затем тигель ( обычно из платины) медленно охлаждают. Рост происходит на спонтанно образовавшихся зародышах. Когда соответствующий цикл охлаждения завершен, иногда оказывается возможным вынуть тигель из печи, слить избыток расплава и механическим путем извлечь полученные кристаллы. Но чаще приходится отделять ( выщелачиванием) затвердевший расплав от образовавшихся кристаллов с помощью растворяющего расплав и не действующего на кристаллы растворителя. В качестве таких растворителей часто пользуются сильными неорганическими кислотами. Ясно, что выращивание кристаллов на затравках значительно расширит возможности и повысит ценность метода выращивания из раствора в расплаве, но до сих пор все исследования по росту, за малым исключением [65, 129], проводились в отсутствие специально введенных затравок. [58]

Наиболее широко распространенным методом исследования является вискозиметрия, так как этот метод проще остальных и не требует сложного оборудования ( гл. Вискозиметрия очень удобна для повседневных массовых измерений и широко применяется в заводских лабораториях для контроля производственных процессов. [59]

Наиболее широко распространенным методом получения эпитаксиальных слоев кремния является восстановление водородом четыреххлористого кремния и термическое разложение силана. В обоих случаях в реакционной камере присутствует водород и для его десорбции с поверхности подложки требуется высокая температура, которая и лимитирует нижний температурный предел процесса энитаксиалыюго роста. Если в процессе водород отсутствует, то температура образования эпитаксиальных слоев может быть снижена. В работе [81] было найдено, что при термическом разложении тетраметилсилана, подаваемого в реактор газом-носителем ( гелием) при соотношении ( CH3) 4Si: : 11е, равном 0 05, за 17 мин. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5