Диффузионный метод

Cтраница 1

Монокристалл кремния с двумя типами проводимости. а - монокристалл. 6 - образование электронно-дырочного перехода. в - потенциальный барьер в переходе.| Включение полупроводникового диода в прямом направлении. а - схема включения. 6 - распределение потенциалов в переходе. [1]

Диффузионный метод состоит в использовании явления диффузии примеси в виде паров или слоя, нанесенного на поверхность, в кремний с другим типом проводимости. Поверхности диода, находящиеся в непосредственном контакте с металлическими электродами, металлизируются путем химического осаждения никеля или другого металла. [2]

Диффузионный метод существует уже около 30 лет; с тех пор как было разработано самое первое оборудование Окридж К-25, и в техническом отношении почти достиг завершенности. [3]

Диффузионный метод из-за сравнительной сложности установки редко применяется в настоящее время в лабораториях, однако широкое применение нашел в промышленном масштабе. [4]

Диффузионный метод, положенный в основу работы диффузионного дозатора, позволяет получать смеси в интервале концентраций от 10 до 10 - 3 мг / м3 в зависимости от летучести вещества, размеров капилляра дозатора и расхода газа-носителя. [5]

Диффузионный метод является перспективным при создании различных полупроводниковых приборов с минимальным технологическим разбросом параметров. [6]

Диффузионный метод частично нами описан ранее ( стр. [7]

Диффузионный метод Поверхность древесины покрывают слоем пасты, в состав которой введен водорастворимый антисептик. Окорку древесины производят непосредственно перед пропиткой. Луб снимают до чистой белой древесины. Под воздействием влаги древесины антисептик постепенно растворяется и диффундирует в древесину. Процесс диффузии из наружных во внутренние слои продолжается до тех пор, пока концентрация антисептика не будет одинаковой. [8]

Диффузионный метод базируется на диффузии газов через пористую перегородку. [9]

Диффузионный метод был проверен на различных веществах известного химического строения как, например, на полибензил-малонилмочевине и полифталилгуанидине. [10]

Диффузионный метод существует в двух модификациях. В первом случае диффузия осуществляется через цилиндрическую трубку, во втором - через пористую перегородку. [11]

Диффузионный метод позволяет получить полевые транзисторы с лучшими усилительными и частотными свойствами, причем преимущество имеют те полевые транзисторы, канал и затвор которых получены диффузионным методом, а исходная пластинка служит вторым затвором. Диффузионный метод в сочетании с фотолитографией и метод эпитаксиального выращивания позволяют получить полевые транзисторы с оптимальными геометрическими размерами канала, малым напряжением отсечки и высокой крутизной. [12]

Диффузионный метод позволяет получать плоские р-п-переходы большой площади при малых расстояниях между переходами. Недостатком метода является его сложность и необходимость работы при более высоких температурах по сравнению со сплавным методом. [13]

Диффузионный метод часто сочетают с планарной технологией. Суть ее состоит в следующем. На поверхности полупроводниковой пластинки образуют пленку из двуокиси или нитрида кремния, в которой методами фотолитографии создают окна. Затем в эти окна производят диффузию примесей, создающих противоположный тип электропроводности в исходном полупроводнике. Полученные таким образом р-п-переходы могут иметь самую разнообразную конфигурацию. Планарная технология широко применяется для создания распределенных электродов в силовых тиристорах и транзисторах. [14]

Внешний вид ультразвукового резонансного дефектоскопа-толщиномера В4 - 8Р.| Схема ультразвукового микроскопа с теневым методом приема.| Схема установки для визуализации ультразвуковых изображений. [15]

Страницы: 1 2 3 4