Метода - электронная дифракция
Cтраница 1
Методы электронной дифракции позволяют получить более обширные. [1]
По сравнению с другими дифракционными методами метод электронной дифракции значительно менее точен, однако за исключением ИК-спектроскопии, это единственный метод, позволяющий получить структурные данные о молекулах в газообразном состоянии. Вычисленные для различных предполагаемых типов геометрии теоретические кривые рассеяния [15] недостаточно сильно отличаются друг от друга, чтобы можно было сделать выбор между плоской квадратной структурой молекулы XeF4 или структурой с двумя атомами F на диагонали выше средней плоскости и двумя атомами F ниже этой плоскости. [2]
Для изучения образования монокристаллических пленок широко используются методы электронной дифракции и электронной микроскопии. Этим методом получают дифракционные картины пленки и подложки, что облегчает определение кристаллографических ориентации. Подобно методу дифракции электронов высоких энергий, этот метод является простым средством обнаружения структурных превращений в зависимости от толщины пленки. Однако этот метод не пригоден для изучения роста тонких пленок, особенно на начальной стадии. [3]
 |
Доменная структура граничных слоев смазки. [4] |
Описанное строение граничных слоев, подтвержденное рентгеноструктурным анализом, методами электронной дифракции и другими методами, является несколько упрощенным, не учитывающим особенности строения поверхностных слоев металла. [5]
Если окисная пленка предназначается для исследования под микроскопом пли методами электронной дифракции, то ее удобно упрочнить тонким слоем формвара или парлодиона. Подобный слой готовится следующим образом. Каплю разбавленного раствора формвара в хлороформе или парлодиона в амилацетате наносят на наружную поверхность окисленного образца, с которого нужно снять пленку; затем лишнему раствору позволяют стечь, а образцу дают высохнуть. [6]
Высокоразрешающая электронная микроскопия позволяет в сочетании с методами электронной дифракции исследовать процесс образования конденсатов на стадии частичного заполнения первого монослоя. С этой целью обычно используют две методики: либо кристаллизацию вещества на тонкой монокристальной подложке ( пленке) в самом электронном микроскопе с одновременным наблюдением за начальными стадиями; либо конденсацию металлов на солях с последующим нанесением углеродных реплик ( после начальной стадии конденсации), их отделением и электронно-микроскопическим изучением. В обоих случаях необходим достаточно точный и чувствительный метод определения количества осажденного материала. [7]
Предположение о плоскопараллельном пассивирующем слое может при этом быть высказано только в самом первом приближении. Из исследований окисных слоев на цинке, алюминии, кадмии и магнии, выполненных Губером 125 методами электронной дифракции и электронной микроскопии, можно сделать заключение, что истинная структура слоев далека от этого идеального случая. Случайно появляются поры на стороне, соприкасающейся с электролитом, которые, однако, не достигают самого металла. [8]
Наблюдаемая яркая интерференционная окраска может возникнуть только в случае существенной разницы коэффициентов преломления при прохождении света от поверхностного слоя к субстрату. Это требует высокой степени молекулярной ориентации в поверхностном слое, но нет никаких доказательств существования сколько-нибудь значительной степени ориентации, которая могла бы быть обнаружена методами рентгеновской и электронной дифракции. [9]
Молекула NO2 также имеет нечетное число электронов, и некоторые ее реакции сходны с реакциями свободных радикалов, например ее димеризация, способность вытеснять водород из насыщенных углеводородов и ее реакции присоединения к ненасыщенным и ароматическим углеводородам. Из микроволнового изучения NOz следует [8], что расстояние N - О составляет 1 197 А, а угол О - N - О равен 134 15, что находится в согласии с результатами более ранних исследований методами электронной дифракции и инфракрасной спектроскопии. [10]
Метод электронной дифракции представляет интерес для расшифровки структур, особенно при наличии высокодисперсных фаз ( формирующихся карбидов, различных новообразований), линии которых невозможно измерить, а иногда и обнаружить при рентгенографическом анализе. Электронографию широко используют для изучения поверхностных слоев толщиной несколько нанометров, а также специально приготовленных тонких пленок. В вопросах исследования аморфных слоев металла при полировании, трении, тонкопленочных объектов методы электронной дифракции незаменимы. [11]
В литературе приводятся следующие примеры снятия пленки. Подобным же способом пользовались Фелпс, Гульбрансен и Хикман [427], чтобы снимать с различных металлов пленки для исследования при помощи электронного микроскопа и методами электронной дифракции. [12]
Не всегда ясно, что значат используемые в литературе выражения: поверхностное окисление, поверхностные окислы и даже адсорбция кислорода на платиновых электродах в определенной области потенциалов. Это особенно относится к тем случаям, когда заполнение кислородом меньше монослоя. Если бы поверхностные пленки состояли из окислов, они должны были бы образовываться в виде маленьких островков на поверхности электрода. При среднем размере островков 50А можно было бы получить их рентгенограммы. Последнее указывает на то, что или эти островки имеют размер 50 А, или их решетки сильно искажены, и маленькие кристаллиты по существу аморфны. Доказательство существования таких окислов можно было бы получить при помощи электроно-графического метода, даже если отдельные зерна меньше 50 А. Однако это можно сделать лишь при условии, что окислы не разлагаются в вакууме, который используют в методе электронной дифракции. [13]
Страницы: 1