Метода - измерение - параметр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Человеку любой эпохи интересно: "А сколько Иуда получил на наши деньги?" Законы Мерфи (еще...)

Метода - измерение - параметр

Cтраница 3


Оптические и акустические ( см. раздел 6) методы измерения параметров абсо потной и относительной вибрации являются бесконтактными волновыми, поскольку основаны на использовании явлений отражения, преломления, дифракции и интерференции волн.  [31]

Далее в обобщенной форме будут рассмотрены: а) методы измерения параметров магнитного поля и соответствующие средства измерений, получившие наибольшее практическое применение; б) методы и средства измерений, применяемые при определении магнитных характеристик ферромагнитных материалов.  [32]

33 Структура сплавного дрейфового транзистора. 1 - эмиттерный сплав ( InGaSb. 2 - рекристал-лизов. слой эмиттера ( р. з-диффузионный базовый слой ( дрейфовое поле. 4 - соединит, диффузионный слой ( п. 5 - базовый сплав. в - исходный Ge. 7 - рекристаллизов. слой коллектора ( р. [33]

Транзистор, Транзистор дрейфовый, Транзистора параметры, Транзистора методы измерения параметров.  [34]

При составлении справочника были использованы действующие в СССР стандарты на методы измерений параметров, общие технические требования к приемно-усилительным лампам, рекомендации по эксплуатации и другая техническая документация.  [35]

Наибольшее практическое значение имеют электрические ( кон-дуктометрический и диэлькометрический) методы измерения параметров экстракта, упрощающие аппаратуру и сокращающие длительность измерения. Экстрагирующий агент должен удовлетворять ряду требований. Он должен полностью извлекать из твердого вещества воду, не поглощая других компонентов. Длительность экстракции должна быть минимальной. Используемые свойства экстра-тента должны быть удобны для измерения и согласованы со свойствами анализируемого материала.  [36]

37 Диаграмма дискретных сигналов ( а, осциллограммы неискаженных ( б и искаженных ( в посылок. [37]

В указанных условиях значительный интерес представляют методы измерения обобщенных показателей качества каналов связи и также методы автоматических и полуавтоматических измерений параметров каналов связи.  [38]

На этапе разработки эскизного и технического проекта: выбирается и устанавливается рациональная номенклатура измеряемых и контролируемых параметров изделия; выбираются методы оценивания состояния изделия и соответствующие нормы точности; разрабатываются и аттестуются методы измерений параметров изделия; разрабатываются ТЗ на создание нестандартизованных средств измерений; проводится метрологическая экспертиза ( МЭ) документации; формируются правила технического обслуживания изделий.  [39]

Регламентируются различные методы прокладки ОК ( наземные, подземные и воздушные: в том числе с размещением ОК в грозотросе), защиты закалываемого в землю ОК, стыковки отдельных участков оптоволоконного линейного тракта и методы измерения параметров кабеля под нагрузкой.  [40]

В основу учебника положен курс лекций, читаемый автором для студентов специальности Полупроводниковые и микроэлектронные приборы в Московском ордена Ленина и ордена Октябрьской революции энергетическом институте, с учетом тех изменений, которые имеются в типовой программе дисциплины Методы измерения параметров полупроводниковых материалов действующего учебного плана. По сравнению с учебным пособием Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов, вышедшим в издательстве Высшая школа в 1975 г., материал книги существенно переработан и дополнен с учетом современных тенденций развития полупроводниковой техники.  [41]

В книге рассмотрены: основные технологические процессы полупроводникового производства; различные виды механической, химической и электрохимической обработки, изготовление фотошаблонов и процессы фотолитографии, процессы эпитаксии, диффузии, термического испарения в вакууме; методы защиты поверхности структур, сборка и герметизация приборов, типы корпусов, методы измерения параметров и испытания полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.  [42]

Таким образом, из двух реакций между R02 и ингибитором в зависимости от условий преобладает та или иная реакция. Методы измерения параметров, характеризующих эффективность ингибитора, позволяют выделить и количественно охарактеризовать каждую из этих двух реакций.  [43]

Методы измерения параметров схем на дискретных компонентах не подходят для измерения парамегров ИС. Практически невозможно контролировать характеристики ИС путем Измерения параметров отдельных компонентов. Интегральные схемы должны быть охарактеризованы в терминах характеристик многополюсника: входных, выходных и передаточных.  [44]

Приведенные схемы испытаний тепловых труб, естественно, не исчерпывают всех возможных вариантов. Однако методы измерения параметров тепловых труб по существу везде остаются одними и теми же.  [45]



Страницы:      1    2    3    4