Cтраница 1
Методы термического испарения широко применяют при получении тонкопленочных резистивных структур микроузлов. Высокая, чувствительность тонких пленок к длительному воздействию атмосферы воздуха, неизбежному в реальных условиях производства РЭА, заставляет ограничивать круг исходных материалов. В настоящее время используют только материалы, которые при взаимодействии с атмосферой ( в первую очередь с кислородом и влагой) образуют тонкие поверхностные защитные слои, приостанавливающие развитие взаимодействия. [1]
Методы термического испарения относятся к группе физических методов разделения и сопровождаются относительно небольшими загрязнениями. В благоприятных случаях ( при существенной разнице в летучсстях основы и примесей) могут быть достигнуты относительные пределы обнаружения 10 - 8 % и менее. Переведением разделяемых веществ с помощью химических реакций в соединения, различающиеся по летучести значительно больше, чем исходные, можно расширить область применения методов селективного испарения. Однако в подобных случаях приходится решать обычные проблемы повышения надежности определений, характерные для химико-спектральных методов. [2]
Методы термического испарения относятся к группе физических методов разделения и сопровождаются относительно небольшими загрязнениями. В благоприятных случаях ( при существенной разнице в летучестях основы и примесей) могут быть достигнуты относительные пределы обнаружения 10 - 8 % и менее. Переведением разделяемых веществ с помощью химических реакций в соединения, различающиеся по летучести значительно больше, чем исходные, можно расширить область применения методов селективного испарения. Однако в подобных случаях приходится решать обычные проблемы повышения надежности определений, характерные для химико-спектральных методов. [3]
В методах термического испарения в вакууме конденсацию стараются вести как можно медленнее, поддерживая высокую температуру подложки. [4]
Алюминий наносят на подложку главный образом методами термического испарения при ta 1200 - 1400 С. [5]
Наиболее распространенными методами получения тонких пленок различных материалов в вакууме являются методы термического испарения и ионного распыления. [6]
Физическими методами испарения и конденсации можно наносить любые испаряющиеся без разложения вещества. При получении покрытий методами термического испарения с последующей конденсацией паров область испарения и область конденсации разделяются пространственно и между ними создается большой градиент температур. Испаряющееся вещество может находиться как в расплавленном ( например, Al, Zn, Cu, Cd, Ag, Pb, Ti, Cr, Ni), так и в твердом ( например, В, С, Si, Mg, Mo) состояниях. Процесс ведется в вакуумных камерах. [7]
Полосчатость на протравленных сколах легированных цинком слоев отсутствует, что доказывает отсутствие по крайней мере скачкообразных изменений концентраций по толщине. Последнее очень характерно для метода термического испарения лигатуры. Применение диэтилцинка для легирования эпитаксиальных слоев не снижает подвижности носителей заряда по сравнению с образцами, легированными методом термического испарения. [8]
Окись цинка по сравнению с другими материалами, наиболее удобна для тонкопленочных пьезоэлектрических преобразователей из-за высокого значения коэффициента электромеханической связи и большой устойчивости гексагональной фазы. Так как из-за диспропор-ционирования состава очень сложно получать пленки ZnO методами термического испарения, стабильная технология этих пленок отработана сравнительно недавно. В большинстве случаев пленки ZnO получают с помощью ионного распыления. Пленки с аналогичной ориентацией били получены Розгони и Полито [9] на сапфире и на золоте. [9]
В методе катодного распыления используется распыление исходного твердого вещества с помощью тлеющего разряда. Процесс идет в среде благородного газа при давлениях 0 133н - 13 3 Па и более низкой, чем в методах термического испарения, температуре эпитаксиального роста. [10]
В зависимости от технологии изготовления микросхемы подразделяют на полупроводниковые и пленочные. Пленочные схемы, в свою очередь, делятся на тонкопленочные и толстопленочные. Первые получают методами термического испарения материалов и катодного распыления, вторые - методами шелкографии и вжигания специальных паст в керамику. Разновидностью тонкопленочных микросхем, используемых в диапазоне СВЧ, являются микрополосковые схемы. По степени унификации и применения в РЭА микросхемы подразделяют на микросхемы широкого и частного применения. [11]
Для создания резистивных и резистивно-емкостных микросхем применяют танталовую технологию и термическое испарение в вакууме в сочетании с процессами фотолитографии. У нас в стране чаще используют методы термического испарения в вакууме. Ограниченное применение танталовой технологии обусловлено рядом существенных недостатков, связанных со сложностью технологического процесса и низким значением удельного сопротивления резистивных пленок на основе тантала и нитрида тантала. Процесс изготовления резистивно-емкостных микросхем по танталовой технологии предполагает использование разнородных методик: катодное распыление, термическое испарение, электрохимическое анодирование и многократные процессы фотолитографии. Кроме того, процесс характеризуется низкой технологичностью и высокой трудоемкостью. Простейшие микросхемы изготавливают термическим испарением в вакууме с применением метода свободных масок. При повышении плотности элементов и усложнении их конфигурации используют метод двойной фотолитографии. Микросхемы с конденсаторами создают с применением метода свободных масок, а в случае повышенной сложности - комбинирован ного метода. [12]
Под тонкими магнитными пленками понимают слои магнитного вещества толщиной 0 1 мкм, нанесенные на немагнитную подложку. Наиболее широкое применение получили пленки пермаллоя, содержащие 20 % Ni и 80 % Fe. На подложку они наносятся методами термического испарения, катодного или ионно-плазменного распыления. [13]