Метода - сублимация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Настоящая женщина должна спилить дерево, разрушить дом и вырастить дочь. Законы Мерфи (еще...)

Метода - сублимация

Cтраница 1


Методы сублимации - конденсации имеют ограниченное применение, поскольку довольно мало таких веществ, у которых упругость пара была бы достаточно высокой для роста. Вообще говоря, можно вводить дополнительные компоненты, связывающие нелетучие соединения в летучие комплексы; в этом случае рост осуществляется в процессе реакции. Ионное внедрение, строго говоря, нельзя считать методом выращивания.  [1]

Крупные монокристаллы CdS получены методами сублимации в разных условиях: в вакууме при температуре 1200 С и температурном перепаде AT - 100, среде аргона при температурах 1150 - 1775 С [ 162, с. В работах Б. М. Булаха изучены условия роста монокристаллов CdS из паровой фазы при участии газа-транспортера. Выяснено, что главные факторы, определяющие возникновение различных форм роста кристаллов, - это соотношение исходных компонентов и температура в зоне роста; предложена модель, объясняющая происхождение этих форм.  [2]

3 Прибор для вакуумной сублимации. [3]

Автор благодарен Г. Ф. Вылегжаниной за информацию по методу сублимации.  [4]

Сублимация в кипящем слое под вакуумом представляет собой синтез метода сублимации в вакууме и метода сублимации с газом-носителем. По сравнению с сублимацией в вакууме при сублимации в кипящем слое под вакуумом нужно считаться с большими потерями давления, поскольку необходим кипящий слой, хотя бы и очень тонкий, а также фильтр. В целом для больших производств установка для сублимации в кипящем слое не должна быть дороже, чем установка для сублимации в вакууме.  [5]

При всех с гучаях устранения гидратных пробок, образованных за счет накопления воды ( кроме метода сублимации), первоначально следует удалить воду с нижней части газопровода с минимальной отметкой и только после этого ликвидировать гидраты.  [6]

В современных отраслях техники - ядерной энергетике, квантовой электронике, полупроводниковом приборостроении и т.п. - требуются материалы значительно более высокой степени чистоты. Методами сублимации, экстракции, хроматографии, направленной кристаллизации, зонной плавки удается получить вещества, которым присваивается квалификация особо чистый ( ос. Для характеристики таких материалов используется не общее содержание примесей, а содержание так называемых анализируемых примесей. В маркировке ОСЧ-матерИала указывается количество анализируемых примесей и их общее содержание.  [7]

В этом методе сублимации используют свойство карбида кремния улетучиваться и разлагаться выше 2000 С. Тигель из карбида кремния, наполненный графитом, нагревают в графитовой печи в течение 6 - 8 ч при 2500 - 2600 С в атмосфере аргона, водорода или окиси углерода. Конструкция печи должна обеспечить создание вдоль тигля необходимого температурного градиента для роста кристалла.  [8]

В химической промышленности все большее применение находит метод сублимации, одним из частных случаев которого является рассмотренный выше процесс удаления влаги из веществ в замороженном состоянии. В ряде случаев метод сублимации имеет значительные преимущества по сравнению с такими методами, как кристаллизация или экстракция. Это в особенности относится к органическим соединениям, которые легко разлагаются при повышении температуры.  [9]

Так, например, получают монокристаллы сульфида кадмия взаимодействием паров металлического кадмия с сероводородом. Для получения монокристаллов AnBVI из газовой фазы также применяются методы сублимации и транспортных реакций. В газотранспортной реакции в качестве транспортера обычно применяют иод, хлористый водород и хлорид аммония.  [10]

В современных отраслях техники - ядерной энергетике, квантовой электронике, полупроводниковом приборостроении и т.п. - требуются материалы значительно более высокой степени чистоты. Методами сублимации, экстракции, хроматографии, направленной кристаллизации, зонной плавки удается получить вещества, которым присваивается квалификация особо чистый ( ос. Для характеристики таких материалов используется не общее содержание примесей, а содержание так называемых анализируемых примесей. При этом число анализируемых примесей достаточно велико: 10 - 20, а иногда и более. В маркировке ОСЧ-материала указывается количество анализируемых примесей и их общее содержание.  [11]

Кристаллы для спектроскопических измерений обычно приготовляются либо сублимацией, либо выращиваются из расплава между кварцевыми окнами и гораздо реже - из раствора. Иногда более толстые образцы отка-лывают я или отрезаются от более крупных кристаллов. Для получения особенно тонких кристаллов методы сублимации являются основными. При сублимации антрацена в атмосфере инертного газа могут быть получены пленки толщиной до 0 1 мк или даже немного меньше, а кристаллы толщиной до нескольких микронов образуются обычно очень легко.  [12]

Экспериментально установлено, что иногда инертные газы-носители помогают, а иногда и мешают процессам роста. В литературе имеется очень много таблиц давления насыщенных паров разных веществ. В табл. 6.1 перечислены некоторые кристаллы, выращенные методами сублимации - конденсации с использованием замкнутых и проточных систем.  [13]

Эти исследования показывают, насколько трудно получить контролируемое осаждение однородных пленок нихрома с помощью непосредственного испарения из расплава. Для этого необходимо осуществлять испарение из очень больших количеств сплава, содержание Сг в котором должно быть существенно меньше, чем в осажденных пленках. Вайд и Тиерман [205] проводили испарение из небольшого количества исходного сплава, однако данных по составу пленок ими не было приведено. Другим способом является испарение из твердого сплава. Если теперь эту величину подставить в уравнение, описывающее испарение, то решение даст величину отношении паров Ni: Сг 83: 17, что хорошо согласуется с отношением 80: 20 в проволоке. По этой причине метод сублимации сплавов имеет малую практическую ценность. Изменение состава при испарении более подробно исследовано на примере этих двух никелевых систем.  [14]



Страницы:      1