Метода - выращивание - кристалл
Cтраница 2
Жидкие растворы в расплавленной соли по существу не отличаются от растворов в расплаве: в этом случае справедливы такие же фазовые диаграммы и применяются те же методы выращивания кристаллов. [16]
Установлено, что центрами, ответственными за рекомбинацию в данном случае, являются врожденные дефекты кристаллической решетки, которые образуют два уровня в запрещенной зоне, независимо от метода выращивания кристаллов и степени их легирования. С ростом температуры времена жизни тл и Тр приближаются друг к другу по величине и растут вместе. [17]
 |
Некоторые свойства полупроводниковых материалов. [18] |
Для получения заготовки с указанными характеристиками необходимо выбрать метод выращивания монокристаллов. Методы выращивания кристаллов, потребное оборудование, методы и режимы контроля слитка подробно описаны в специальной литературе. Частично эти методы будут рассмотрены ниже. [19]
Следует указать, что интерес к газообразным кислородным соединениям алюминия возрос в связи с потребностями монокристальной техники. Недавно были предложены методы выращивания кристаллов глинозема в виде нитей ( вискерсов) и пластинок ( см. гл. Здесь образование кристаллов происходит за счет газообразных соединений алюминия и естественно, что знание состава пара и термодинамических свойств молекул в паре очень существенно. [20]
К сожалению, методы выращивания определенных кристаллов отнюдь не являются пригодными для широкого применения. К тому же полученные спектры кристаллов часто содержат дополнительные полосы, обусловленные отражением и рассеянием излучения. При отсутствии тщательной проверки эти паразитные полосы затрудняют интерпретацию инфракрасных спектров исследуемых веществ. [21]
Если тщательно контролировать условия роста, то можно получить монокристаллические слои весьма высокого качества. В этом отношении методы выращивания кристаллов из пара имеют ряд преимуществ перед методами выращивания из расплава. [22]
Главное внимание в них уделяется соотношению между дефектами в кристаллах и условиями, при которых выращивается буля. Основное несовершенство этого метода выращивания кристаллов заключается в наличии ступенчатого градиента температур между горячей областью пламени, где располагается расплавленная вершина були, и более холодной нижней частью. Резкое изменение температуры вдоль оси були создает сильные напряжения в кристалле, и при извлечении нз печи були часто растрескиваются ( вдоль) с образованием двух полуцилиндрических фрагментов. Температурный градиент может быть уменьшен введением в печь дополнительных нагревателей. Для этих целей можно использовать электрический нагреватель, смонтированный вдоль оси в нижней части пламени, или четыре маленькие кислородно-водородные горелки, расположенные под прямым углом. Однако кристаллы, выращенные с такими предосторожностями, остаются более напряженными, чем полученные другими методами. В обзоре Чарлза Сахаджана [15] описаны исследования, выполненные в Кеймбриджской лаборатории военно-воздушных сил. [23]
Главное внимание в них уделяется соотношению между дефектами в кристаллах и условиями, при которых выращивается буля. Основное несовершенство этого метода выращивания кристаллов заключается в наличии ступенчатого градиента температур между горячей областью пламени, где располагается расплавленная вершина були, и более холодной нижней частью. Резкое изменение температуры вдоль оси були создает сильные напряжения в кристалле, и при извлечении нз печи були часто растрескиваются ( вдоль) с образованием двух полуцилиндрических фрагментов. Температурный градиент может быть уменьшен введением в печь дополнительных нагревателей. Для этих целей можно использовать электрический нагреватель, смонтированный вдоль оси в нижней части пламени, или четыре маленькие кислородно-водородные горелки, расположенные под прямым углом. Однако кристаллы, выращенные с такими предосторожностями, остаются более напряженными, чем полученные другими методами. В обзоре Чарлза Сахаджана [15] описаны исследования, выполненные в Кеймбриджской лаборатории военно-воздушных сил. [24]
Почти все органические твердые вещества имеют положительный коэффициент растворимости. Это значит, что растворимость вещества растет с увеличением температуры. Для таких растворов существует три главных метода выращивания кристаллов ( рис. 15): 1) упариванием растворителя, 2) медленным охлаждением насыщенного раствора и 3) выращивание при разности температур между зоной роста и зоной растворения. [25]
Страницы: 1 2