Метода - вытягивание
Cтраница 2
Полированное стекло получают путем механической обработки - шлифовки и полировки листового стекла, полученного методами вытягивания и прокатки. Полированное стекло без оптических искажений применяется для остекления витрин, самолетов и автомашин, зеркал, в химической, радиотехнической и других отраслях народного хозяйства. [16]
 |
Схема аппарата с магнитным приводом для выращивания монокристаллов по методу Чох-рал ьского. [17] |
Но наряду с этим, в особенности для получения монокристаллов больших размеров, приходится прибегать к методу вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому. Метод вертикальной направленной кристаллизации ( метод Бриджмена) для получения монокристаллов этих соединений применяется редко из-за больших объемных изменений при кристаллизации. Давление пара ле - k тучего компонента поддерживается чаще всего двухзонным методом. На рис. 25 показана конструкция установки такого рода. В ней весь процесс вытягивания происходит в запаянной кварцевой ампуле. Для этой же цели были предложены установки и другого рода - с гидравлическим затвором из жидкого галлия или индия: внутреннее давление в них компенсировалось давлением инертного газа. [18]
Исходный диаметр затравки ( 1 - 2 мм) должен быть меньше, чем обычно используется в методе вытягивания, так чтобы в ней было лишь малое число дислокаций. Кроме того, в затравке малого диаметра возникают меньшие тепловые напряжения в момент первого контакта ее с расплавом. Уменьшение же тепловых напряжений снижает вероятность образования дислокаций. Можно также сузить растущий кристалл до 1 - 2 мм, а затем осторожно расширить. [19]
После этого диаметр расплавленной зоны увеличивают и продолжают рост монокристалла. Процедура аналогична образованию перетяжки в методе вытягивания из расплава. [20]
Во всех этих методах кристаллизация сопровождается выделением примесей, что крайне вредно особенно при необходимости получения сильно легированных кристаллов. Этот недостаток можно устранить ( именно при методе вытягивания) с помощью непрерывной подпитки. [21]
Такое стекло необходимо проваривать и осветлять при температуре, не превышающей 1500 - il550 C, а в интервале выработочных температур оно не должно заметно кристаллизоваться. Оно должно, к тому же, хорошо формоваться методами вытягивания, выдувания и прессования, а также поддаваться сварке ( подобно стали) газокислородным пламенем и токами высокой частоты. [22]
Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него изготовляются по методу вытягивания. [23]
Антимонид индия получают сплавлением в стехио-метрическом соотношении высокочистых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получают по методу вытягивания. [24]
Его получают сплавлением в стехиометриче-ском соотношении высокочистых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получаются по методу вытягивания. [26]
А н т и м о н и д индия получают сплавлением в стехио-метрическом соотношении высокочистых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получают по методу вытягивания. [27]
 |
Получение сверхчистого германия путем кристаллизации его из расплава. [28] |
Этот метод ( рис. 249) представляет собой комбинацию метода зонной плавки и метода вытягивания кристалов. Методом зонной плавки расплавляют германий в отдельных местах и, сразу же применяя затравочный кристаллик и нагрев токами высокой частоты, создают условия для кристаллизации германия из расплава. [29]
Складывается впечатление, что многие дефекты в кристаллах, выращенных методом вытягивания, возникают из-за кратковременных флуктуации температуры, почти всегда существующих в таких системах. Эта проблема заслуживает дальнейшего изучения, и как минимум во всех статьях, касающихся метода вытягивания из расплава, должна содержаться информация относительно постоянства температуры вблизи границы кристалл - расплав. Мюллер и Вильгельм [51] наблюдали аналогичные флуктуации при выращивании кристаллов InSb зонной плавкой, и это позволяет предполагать существование подобных температурных флуктуации, обусловленных нерегулярной конвекцией, в большинстве методов выращивания кристаллов из жидкой фазы в одно - и многокомпонентных системах и даже при выращивании кристаллов из газовой фазы. [30]
Страницы: 1 2 3