Различная метода - осаждение
Cтраница 1
Различные методы осаждения описаны ниже. При этом, однако, трудно добиться полной очистки от низкомолекулярных примесей. Кроме того, при переосаждении часто приходится вводить в препарат те или иные вещества - например, осадители. Поэтому для полного освобождения от низкомолекулярных примесей приходится пользоваться диализом ( или электродиализом), а также методом молекулярной фильтрации с помощью так называемых сефадексов. Последний прием будет описан позже в связи с применением сефадексов для фракционирования белков. [1]
Риман и Хейген45 сравнили различные методы осаждения сульфата бария и пришли к выводу, что метод Хинца и Ве - бера46, заключающийся в быстром добавлении хлорида бария к раствору сульфата, дает лучшие результаты для сульфата, особенно в присутствии хлорида натрия. Кольтгоф и Сендэл47 считают, что хорошие результаты, полученные при использовании указанного метода, могут объясняться компенсацией ошибок, но они рекомендуют все же этот метод для определения серы в растворимых сульфатах. В противовес данным Джонстона и Адамса44, Вот утверждает, что наличие больших концентраций хлорида натрия приводит к относительно небольшому увеличению его соосаж-дения. Изменение рН в пределах 2 - 6 не вызывает сколько-нибудь заметного изменения в величине соосаждения натрия. [2]
Риман и Хейген [18] сравнили различные методы осаждения сульфата бария и пришли к выводу, что метод Хинца и Вебера [19], заключающийся в быстром добавлении хлорида бария к раствору сульфата, дает лучшие результаты для сульфата, особенно в присутствии хлорида натрия. Хорошие результаты, полученные при использовании указанного метода, могут объясняться компенсацией ошибок вследствие различных типов окклюзии. [3]
Предложен сенсорный элемент для регистрации дыма в виде тонкой пленки оксида висмута, приготовленного различными методами осаждения с использованием тепловой обработки. Сопротивление тонкой пленки, помещенной в среду дыма, изменяется на пять порядков величины при комнатной температуре. Показано, что вклад частиц в величину сопротивления незначителен, и сопротивление определяется газами, образующимися при горении. [4]
 |
Элементы полупроводниковых микросхем. [5] |
В тонкопленочных ИС все элементы изготовляют в виде тонких пленок ( толщиной менее 1 мкм), которые образуются различными методами осаждения материалов ( металлов, полупроводников, диэлектриков) на изолирующую подложку. [6]
Показано, что термодинамическое рассмотрение роста пленок, протекающего в заведомо неравновесных условиях, позволяет оценить величину действующего пересыщения в различных методах осаждения при изменении температуры источника и подложки, давления паров, переохлаждения, пересыщения и других параметров. Оцэнивается влияние внешних электрических и магнитных полей, поверхностной энергии границы подложка - зародыш. Применительно к стационарным условиям роста пленок оцениваются вероятности трехмерного и двумерного зародышеобразования и наследование ориентации подложки, скорость перемещения ступеней, изменение геометрии поверхности роста. Рассмотрение кинетики роста пленок проводится для лимитирующих движение ступеней и изломов поверхности диффузионных процессов или повехностных реакций. Показано, что изменение во времени эффективной скорости роста пленки на начальной стадии эпитаксии связано с изменением механизма роста и приводит к образованию переходной области между подложкой и пленкой. [7]
Для очистки основного продукта от сопутствующих примесей наряду с уже упомянутыми методами - кристаллизацией, осаждением, экстракцией, перегонкой - применяются повторная перекристаллизация, повторное осаждение, различные методы осаждения примесей из раствора без выделения из него основного продукта, ректификация, сублимация, диализ, электродиализ и ряд других методов и приемов. [8]
Известны различные методы осаждения металла на активных участках растущих кристаллов; эти методы основаны главным образом на способности некоторых веществ адсорбироваться на тех участках поверхности, где осаждение металла может происходить наиболее легко, способствуя осаждению на других участках и создавая таким образом благоприятные условия для образования новых центров кристаллизации вместо увеличения существующих кристаллов. [9]
Полимер должен быть так расположен в колонке, чтобы он в одинаковой степени был доступен растворителю. Применяются различные методы осаждения полимера на носитель. [10]
Запатентовано [167] производство окисноалюминиевого шарикового катализатора, применяемого в качестве носителя для платины. В многочисленных работах [122, 149, 183, 261] описаны различные методы осаждения платины на окнсноалюминиевый носитель. [11]
Благодаря тому что UXt соосаждается с оксалатом урана ( IV) с обогащением в твердой фазе, его количественное выделение может быть достигнуто при осаждении небольших количеств урана ( IV) в широком диапазоне условий, причем логарифмический характер распределения в изучаемой системе также способствует более полному осаждению. UXX в значительно более концентрированном виде. В опытах, результаты которых приведены в табл. 5, применялись различные методы осаждения оксалата четырехвалентного урана. [12]
Страницы: 1