Диффузионная метода - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Диффузионная метода

Cтраница 1


Диффузионные методы основаны на использовании уравнений, определяющих скорость массопередачи в дисперсных системах, и вычислении по какому-нибудь из этих уравнений межфазной поверхности ( поверхности массообмена), если остальные величины в нем известны или могут быть рассчитаны. Такой метод измерений применяется для систем газ - жидкость, когда газ вступает с жидкостью в быструю необратимую химическую реакцию первого порядка. Достоинством такого метода является то, что он дает ( в отличие от других методов) сразу среднее значение межфазной поверхности для всего аппарата.  [1]

2 Схема установки для транспорта вещества методом потока с подмешиванием инертного газа. [2]

Диффузионные методы применялись особенно часто.  [3]

Диффузионные методы разделения существенно - отличаются от дистилляции или изотопного обмена. Для того чтобы обеспечить концентрационный напор, необходимый для осуществления разделения, в диффузионных методах используются необратимые тепловой или материальный потоки. Например, при масс-диффузий легко конденсирующийся пар вводится необратимо в смесь газов, подлежащую разделению. Если компоненты смеси имеют различные коэффициенты диффузии в паре, то один из них, с меньшим коэффициентом диффузии, будет концентрироваться в направлении потока пара. При газовой диффузии смесь, подлежащая разделению, проходит необратимо через пористую перегородку или мембрану с отверстиями, меньшими по размеру, чем средняя длина свободного пробега молекул смеси газа. Аналогично, при термодиффузии устанавливается необратимый поток тепла от горячей к холодной стенке колонны, содержащий разделяемую смесь. Это вызывает диффузию одного из компонентов смеси к холодной стенке колонны и частичное разделение.  [4]

Диффузионные методы разделения изотопов урана принципиально отличаются от рассмотренных выше.  [5]

К диффузионным методам разделения относится термодиффузия и диффузия через мембраны.  [6]

ИМС диффузионными методами характеризуется минимальным числом этапов производства и наивысшим по сравнению с другими типами схем процентом выхода годных элементов. Относительно низкая стоимость изготовления ИМС определяется в первую очередь условиями их массового производства, сравнимого с процессом изготовления дискретных транзисторов. По сравнению с технологическими методами изготовления транзисторов производство ИМС с внутренними соединениями требует введения дополнительного процесса - изоляции элементов.  [7]

Успешно применяют различные диффузионные методы точной дозировки малых концентраций вещества ( 10 - 4 - 10 - 6 %) для ана-лиза в воздухе различных примесей, в том числе микроконцентраций хлористого водорода, пропионо.  [8]

При изготовлении диффузионными методами транзисторов, как уже отмечалось, широко используется селективная диффузия. Для того чтобы обеспечить возможность ее осуществления, необходимо или расположить источник диффундирующих примесей лишь в отдельных участках поверхности, или защитить как-то те участки поверхности пластины полупроводника, в которые не должна происходить диффузия.  [9]

Процесс изготовления ИМС диффузионными методами характеризуется минимальным количеством этапов производства и наивысшим по сравнению с другими методами процентом выхода годных схем.  [10]

11 Конструкции полевых транзисторов с управляющим переходом.| Конструкции МДП транзисторов. [11]

Неравномерно легированные каналы формируются диффузионными методами введения примесей. На рис. 2 - 76, б показана конструкция планарного полевого транзистора с р-п переходом, изготовляемого методом двойной диффузии примесей. Другая примесь, с меньшим коэффициентом диффузии, используется для создания более тонкого слоя 3, образующего управляющий р-п переход. Последний может использоваться в схеме в роли второго затвора. Поскольку площадь р-п перехода, отделяющего подложку от канала, значительно больше площади р-п перехода основного затвора, то частотные характеристики полевого транзистора по второму затвору ухудшаются, ток утечки увеличивается, а входное сопротивление уменьшается. Однако для некоторых целей, например для управления коэффициентом усиления в системах АРУ, второй затвор оказывается вполне пригодным.  [12]

Таким образом, при диффузионных методах разделения, разность концентраций поддерживается только до тех пор, пока имеет место необратимый поток.  [13]

Очевидно, что при диффузионных методах сжигания газа в условиях, близких к эксплуатации подовых щелевых горелок, в теплотехнические расчеты необходимо вводить поправку на потери тепла с выбросом несгоревшего сажистого углерода.  [14]

В некоторых случаях предпочтительными оказываются тепловые и диффузионные методы определения поверхностного трения, принципиальной основой которых является аналогия между процессами теплообмена, массообмена и трения.  [15]



Страницы:      1    2    3    4