Cтраница 2
Как известно, измерение удельного сопротивления некоторых типов стеклообразных полупроводников, например карбида кремния, вызывает серьезные затруднения. Так, широко распространенные двух-и четырехзондовые методы являются недостаточно удобными для карбида кремния ввиду необходимости в большинстве случаев вплавлять омические контакты. При отсутствии последних необходимо пробивать поверхностную пленку, что ведет к ненадежности результатов. Кроме того, указанные методы дают возможность измерять сопротивление только вдоль образца, а не поперек, как это требуется в большинстве практических случаев. Анизотропия же свойств гексагональной решетки a - SiC не вызывает сомнений. Имеющиеся безэлектродные методы измерения удельного сопротивления в применении к карбиду кремния весьма сложны и недостаточно надежны. Предлагаемый метод в определенной степени свободен от указанных недостатков. [16]