Механизм - образование - скрытое изображение
Cтраница 1
Механизм образования скрытого изображения был исследован в большом числе работ ( наиболее полный обзор см. [11]), но тем не менее многие детали остаются неясными и спорными. В данном параграфе мы даем предельно сжатый очерк этого вопроса, поневоле упуская или упрощая многие детали. [1]
Механизм образования скрытого изображения при поглощении ионов совершенно аналогичен; отличие состоит лишь в том, что ионы обладают энергией на несколько порядков большей, чем электроны. [2]
Несколько отличный механизм образования скрытого изображения в Cu-содержащих светочувствительных стеклах предложен Вейлем [60], который считает, что уже при облучении в стекле возможна фотохимическая реакция восстановления ионов Си до атомов Си. Согласно этим представлениям первая стадия образования скрытого изображения заключается в поглощении Си кванта света и в образовании возбужденного иона. Стекла, содержащие ионы Си, флуоресцируют, что объясняется возвращением возбужденного иона к основному состоянию. [3]
 |
Спектр поглощения 1 02, фотохимически окрашенной лшшановской AgBr-эмульсии О. [4] |
Таким образом, механизм образования скрытого изображения, предложенный Герни и Моттом на основании совершенно общих представлений, наиболее удовлетворительно согласуется как с экспериментальными исследованиями изолированных кристаллов, так и с результатами исследований фотографического слоя. [5]
 |
Влияние pAg на S и D0 при 45 С. [6] |
Современные представления о механизме образования скрытого изображения требуют, чтобы светочувствительный в фотографическом смысле эмульсионный микрокристалл содержал локальные нарушения кристаллической решетки - центры светочувствительности, создающие для фотоэлектронов потенциальные ямы определенной глубины. При этом нужно думать, что концентрация и функция распределения этих дефектов по глубине создаваемых ими потенциальных ям - назовем все это состоянием неоднородности поверхности твердой фазы - находятся в тесной связи со способностью микрокристалла становиться проявляемым под действием фотоэлектронов, поднятых светом на уровни проводимости. [7]
На рис. 4.2 дается упрощенная схема механизма образования устойчивого скрытого изображения. [8]
Эти теории резко различаются не только представлениями о механизме образования скрытого изображения, но и объяснением его природы и процесса химической сенсибилизации. [9]
Теория фосфоресценции неорганических светящихся составов позволяет подойти к объяснению механизма образования скрытого изображения в фотографическом слое. [10]
Для объяснения влияния статического давления мы использовали общепринятые представления о природе и механизме образования скрытого изображения, развитые Герни и Моттом [5, 6] в 1930 г. Согласно этим авторам, фотохимический процесс состоит из двух раздельных стадий. Первая представляет внутренний фотоэлектрический эффект с последующей миграцией фотоэлектрона к центру светочувствительности, который захватывает этот электрон. Вторая стадия представляет процесс электролитической проводимости, при котором междуузельный ион серебра движется к центру светочувствительности и нейтрализует его, образуя атом серебра. Последняя стадия, повидимому, более чувствительна к внешним влияниям. Поэтому в качестве рабочей гипотезы мы предположили [4, 7, 8], что действие статического давления обусловлено обратимым влиянием давления на электролитическую проводимость бромистого серебра. Следовательно, с увеличением давления проводимость должна уменьшаться. [11]
Вид проявленного следа зависит не только от количества энергии, потерянной частицей и поглощенной кристаллами AgBr, расположенными вдоль следа, и от механизма образования скрытого изображения, но также и от процесса проявления, во время которого кристаллы, способные к проявлению, растут и образуют сгустки. [12]
Известно, что эти свойства относятся к категории структурно-чувствительных свойств эмульсионных микрокристаллов [25], в связи с чем для понимания значения и механизма химической сенсибилизации и природы светочувствительности, а также механизма образования скрытого изображения и превращения его в видимое необходимо иметь сведения о природе тех локальных нарушений в реальных микрокристаллах, которые делают их химически и фотохимически лабильными. [13]
Из настоящей статьи будет видно, что теория, развитая для химически сенсибилизированных микрокристаллов, не претерпевает существенных изменений, если использовать модель, в которой одновременно присутствуют междуузельные ионы серебра, вакантные серебряные и вакантные бромные узлы. Детализированный механизм образования скрытого изображения может потребовать некоторых изменений для учета того факта, что междуузельные ионы серебра обладают большей подвижностью, чем вакантные галоидные узлы, и поэтому могут быстрее про-диффундировать к отрицательно заряженному центру светочувствительности. Однако менее подвижные вакантные галоидные узлы в результате теплового движения в конце концов приблизятся и закрепятся на центрах светочувствительности, которые затем будут покинуты междуузельными ионами, диффундирующими обратно в решетку. Таким образом, конечный результат освещения сенсибилизированного микрокристалла не претерпевает никаких изменений. [14]
Своеобразием характера взаимодействия высокоэнергичного кванта рентгеновских лучей с зернами фотоэмульсии объясняется и справедливость закона Бунзена - Роско для этой области спектра. Согласно современным представлениям, механизм образования скрытого изображения включает два следующих друг за другом процесса. Первый из них заключается в освобождении под действием излучения электрона, который улавливается центрами светочувствительности; второй - в концентрации атомов серебра вокруг этого центра путем электролитического перемещения положительно заряженных ионов металла по направлению к узлу решетки галоидного серебра, захватившему электрон. Основной причиной, вызывающей нарушение закона взаимозаменяемости в видимой области спектра, является зависимость коэффициента использования квантов света для образования скрытого изображения от интервала времени между последовательными попаданиями квантов в зерно. Если это время больше, чем необходимо для завершения процесса воссоединения положительного иона серебра с электроном, захваченным в центре светочувствительности, то закон Бунзена - Роско должен оправдываться. При обратном соотношении времен наблюдается отступление от этого закона. [15]
Страницы: 1 2