Cтраница 1
![]() |
Кривые растворимости тиосульфата натрии. [1] |
Механизм образования ядер - центров кристаллизации до сих пор теоретически недостаточно выяснен. Известно лишь, что если раствор твердого вещества, имеющего нормальную растворимость ( возрастающую с повышением температуры), охлаждать до температуры ниже предела его насыщения, то начинается образование микроскопических ядер - - центров, которое зависит от интенсивности охлаждения, скорости и способа перемешивания, температуры и свойств вещества, а также содержания примесей. [2]
![]() |
Кривые растворимости тиосульфата натрия. [3] |
Механизм образования ядер - центров кристаллизации до сих пор остается теоретически недостаточно выясненным. Известно только, что если раствор твердого вещества, имеющего нормальную растворимость ( возрастающую с повышением температуры), охлаждать до температуры ниже предела его насыщения, то начинается образование микроскопических ядер - центров, которое зависит от интенсивности охлаждения, скорости и способа перемешивания, температуры и свойств вещества, а также от имеющихся в нем примесей. [4]
![]() |
Кривые растворимости тиосульфата натрия. [5] |
Механизм образования ядер - центров кристаллизации до сих пор теоретически недостаточно выяснен. Известно лишь, что если раствор твердого вещества, имеющего нормальную растворимость ( возрастающую с повышением температуры), охлаждать до температуры ниже предела его насыщения, то начинается образование микроскопических ядер - центров, которое зависит от интенсивности охлаждения, скорости и способа перемешивания, температуры и свойств вещества, а также содержания примесей. [6]
![]() |
Кривые растворимости гипосульфита. [7] |
До сих пор механизм образования ядер - центров кристаллов остается теоретически недостаточно выясненным. [8]
![]() |
Кривые растворимости гипосульфита. [9] |
К сожалению, механизм образования ядер - центров до сих пор теоретически не выяснен. [10]
Существуют два заслуживающих внимания предположения относительно механизма образования ядра тиазола при взаимодействии ациламинокарбопильных соединений с пятиссрнистым фосфором. [11]
Большой разброс экспериментальных данных служит еще одним подтверждением механизма образования ядер кавитации, предложенного Гарвеем, а не механизма Фокса-Херцфельда. По Гарвею, физические характеристики носителей являются случайными. Поэтому стоит образоваться лишь одной трещине необходимой формы, как возникает ядро, которое будет противодействовать растворению даже при самых высоких давлениях опрессовки. [12]
Вычислить с помощью этого метода температурный коэффициент для t0 довольно трудно, поскольку метод содержит элементы субъективизма. Поэтому представляется преждевременным отвергать предложенный Багдасарьяном механизм образования ядер. [13]
Мотт предполагал, кроме того, что возникновение устойчивого ядра возможно также в результате бимолекулярного захвата электронов проводимости, образующихся с постоянной скоростью. Томас и Томпкинс подробно рассмотрели этот механизм и отвергли его на том основании, что он требует наличия у азида бария полупроводниковых свойств, обеспечивающих электрическую проводимость в 108 раз большую наблюдаемой на опыте. Кроме того, Томас и Томпкинс отвергли предложенный Моттом механизм образования ядер на основании общих соображений. Так, представляется совершенно невероятным, чтобы полученный из раствора кристалл мог накапливать с постоянной скоростью энергию путем возбуждения электронов в полосу проводимости в течение большого периода времени, доходящего до 400 мин. [14]
Многим авторам удалось получить относительно совершенные, обладающие высокой подвижностью эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца. Было установлено, что множество важных переменных факторов влияет на эти пленки: а) температура подложки, б) степень совершенства подложки и качество подготовки поверхности, в) скорость осаждения, г) коэффициент теплового расширения. Несущественным представляется различие в постоянной решетке. Требуется много дополнительных исследований для установления взаимосвязи между различными факторами, прежде чем станет ясным механизм образования ядер и роста пленки. [15]