Cтраница 2
Вышеизложенные соображения имеют гораздо более общую ценность. Валентные требования в отношении влияния небольших добавок элементов на механизм образования дефектов в основном окисле нелегко выполнить, поскольку ( см. стр. [16]
На основе aSm образуется область растворов, содержащих до 15 - 25 % ( ат. Над нею происходит переход от ДГПУ к ГПУ растворам по механизму образования дефектов упаковки. [17]
Изменение веса поддается измерению при температурах выше 600 С. Платиновые индикаторы были обнаружены после окисления на поверхности окалины, что вкупе с механизмом образования дефектов в рутиле позволяет сделать вывод о том, что скорость окисления, по крайней мере на параболической стадии, определяется скоростью диффузии ионов О2 - через окалину. Линейный участок кривой скорости окисления заставляет предполагать, что в конце концов скорость окисления начинает определяться скоростью реакции на границе между фазами. Мюнстер высказал предположение, что атомарный азот диффундирует из металла к наружной поверхности окалины, где он вследствие рекомбинации образует молекулярный газ. Как и в случае механизма, предложенного для объяснения окисления карбида, можно представить себе, что раствор азота в нитридной фазе с нехваткой азота также способствует израсходованию этого элемента, освобождающегося при реакции окисления. [18]
Другие исследователи предполагают, что замещение происходит целыми участками кристаллической решетки и что вполне вероятно существование в этих системах нижней границы смешиваемости, лежащей в области более низких концентраций микрокомпонента. Не исключена также возможность замещения иона NH на ион Мп2, которое происходит по механизму образования дефектов. [19]
При рассмотрении различных случаев возникновения дефектов в изоляции целесообразно разделить время службы изолированного трубопровода на два периода: строительный и эксплуатационный. В эти периоды изоляция работает в принципиально различных условиях, что приводит к различному характеру и механизму образования дефектов. Следует при этом учесть, что в отдельных случаях большое значение в предотвращении тех или иных дефектов, возникающих в покрытии при строительстве или эксплуатации трубопроводов, может иметь предыстория материала: условия изготовления его в заводских, базовых или трассовых условиях согласно технологическому регламенту, правильная транспортировка и хранение на складе и перед нанесением на трубопровод. [20]
Как и при химическом росте, присутствие карбида кремния ( образуемого с участием углеводородов) приводит к росту трипи-рамид, видимых без дополнительного травления. Травление выявляет сопряженные дефекты вокруг них. Структура и механизм образования пирамидальных дефектов при конденсации в вакууме и при химическом росте в общих чертах одинаковы. Подробнее с этим вопросом можно познакомиться в разд. [21]
Рассмотрим подробнее причины возникновения аморфного слоя кремния, подобного тому, который образуется при интенсивном ра-зупорядочивающем ионном или у-облучении полупроводников. При окислении разрывается связь Si-Si и устанавливается гораздо более прочная связь Si-О, в результате чего в каждом акте окисления выделяется весьма большая энергия. Мы полагаем, однако, что более существенным для процесса аморфизации кремниевой подложки является процесс передачи энергии непосредственно на дефектообразование. Такой адиабатический процесс весьма вероятен в силу неравновесного процесса формирования поверхности, особенно в случае высокотемпературного окисления. Следовательно, механизм образования дефектов в ходе окисления является автогенерационным. [22]
Значительные различия в величине внутренних напряжений в зависимости от температуры отверждения наблюдаются на начальной стадии формирования, связанной с различной скоростью удаления растворителя. Конечная величина внутренних напряжений в покрытиях, полученных при различных режимах отверждения, одинакова. Следовательно, в этих условиях формирования покрытий механизм образования дефектов определяется характером структурных превращений в растворах олигомеров, и скоростью удаления растворителя из системы. [23]
Изменение скорости окисления нелегированного свинца в зависимости от давления кислорода, наблюдавшееся Грулем, согласуется с предположением, что окись свинца РЬО является полупроводником с нехваткой электронов. Благотворное же воздействие больших добавок сурьмы к свинцу должно, таким образом, объясняться появлением в окалине либо Sb2O3, либо антимонида свинца, либо же и того и другого одновременно. Такая окалина в конце концов должна расплавиться ( эвтектическая температура равна 600 С), вызывая ускоренное окисление свинца при более высоких температурах. Влияние пара Sb406 сводится к мгновенному повышению скорости окисления при 400 С [606] в полном соответствии с действием упоминавшегося механизма образования дефектов в окалине из РЬО. [24]
При дальнейшем присоединении вакансий к этому диску он увеличивается в размерах и приобретает форму шестиугольника со сторонами, параллельными плотноупакованным плоскостям. Образование на выпрямленных периферийных участках диска частичных дислокаций приводит к такой конфигурации поля упругих искажений, при котором вакансии перераспределяются с одних сторон шестиугольника на другие. Они заполняют чередующиеся вершины, вследствие чего шестиугольник превращается в треугольник, ограниченный плотноупакованнымй направлениями [ ПО ] с сидячим дефектом Франка. Сидячая дислокация Франка имеет высокую энергию и поэтому может расщепиться на частичные дислокации Шокли и вершинные дислокации. Окончательная конфигурация представляет собой тетраэдр из дефектов упаковки. Механизм образования дефектов упаковки вследствие захлопывания вакансионных скоплений тем более вероятен, чем ниже энергия ДУ. После того как дефекты упаковки были экспериментально обнаружены в эпитаксиальных пленках, они подверглись тщательному изучению методами оптической и электронной микроскопии, электронно - и рентгенографически и с помощью дифракции медленных электронов. [25]