Механизм - перенос - носитель - заряд
Cтраница 1
Механизм переноса носителей заряда в СПС рассматривается, как правило, с двух позиций: физической [422, 12] и химической [55, 9, 49], которые дополняют одна другую. [1]
Несмотря на множество работ, посвященных исследованию механизма переноса носителей заряда в ароматических кристаллах, природа движения зарядов в этих веществах остается недостаточно изученной. Редко удается определить области применимости моделей зонной структуры и прыжковой проводимости. [2]
Во многих гетеропереходах одновременно реализуются два ( или даже несколько) механизма переноса носителей заряда: туннелирование с последующей рекомбинацией ( было рассмотрено ранее) и термическая активация, приводящая к повышению энергии носителей до уровня, при котором прозрачность барьера повышается или становится возможным их прямой переход на рекомбинационные центры в области границы раздела. Таким образом, по мере понижения температуры наклон кривой lg / ( F) сначала изменяется обратно пропорционально температуре, как это происходит при термической активации, а затем перестает зависеть от Т, что свидетельствует о протекании туннельного тока. В обоих случаях основная доля носителей рекомбинирует на границе раздела. С помощью такой комбинированной модели были объяснены [ Lindquist, Bube, 1972 ] особенности протекания тока при прямом напряжении смещения в солнечных элементах с гетеропереходом CuxS-CdS на основе монокристаллического сульфида кадмия. При отсутствии напряжения смещения ширина обедненного слоя в этой структуре, сосредоточенного в основном в p - CdTe, составляет 0 19 мкм. [3]
Это дает возможность определить область температур, в которой основную роль играет шоттковский механизм переноса носителей заряда. [4]
Теоретическое определение КПД солнечных элементов с гетеропереходом затруднено из-за недостатка информации о механизмах переноса носителей заряда. [6]
Для практического использования транзисторы удобно классифицировать по предельно допустимой рассеиваемой мощности и диапазону рабочих частот вне зависимости от технологии изготовления и механизмов переноса носителей заряда. Транзисторы малой и средней мощности, имеющие / макс 120 Мгц, относятся к сверхвысокочастотным транзисторам. [7]
В кристаллических триодах междуэлектродные емкости имеют второстепенное значение по сравнению с другими реактивными сопротивлениями, которые имеются в кристаллическом триоде вследствие механизма переноса носителей зарядов. [8]
Температурная зависимость переходов по этому каналу ( см. рис. 5.1) связана с прыжковым механизмом переноса носителей заряда через хвосты локализованных состояний оксидной пленки. [10]
Анализ удельного сопротивления и фотопроводимости нелегированных пленок a - Si: Н может быть выполнен исходя из температурной зависимости проводимости, обусловленной свободными носителями заряда. Однако другие авторы [101] наблюдали изменение механизма проводимости при температуре около 250 К и высказали предположение, что ниже этой температуры реализуется прыжковый механизм переноса носителей заряда по состояниям, локализованным в запрещенной зоне. [11]
Тонкие пленки по структуре и свойствам отличаются от объемных образцов того же состава. Полупроводниковые пленки по своим свойствам приближаются к диэлектрическим. Удельная электропроводность металлических пленок отличается от электропроводности обычных металлов. В приборах пленки контактируют друг с другом, и поэтому важно знать основные механизмы переноса носителей заряда сквозь пленки, так как они влияют на электрические параметры приборов. Рассмотрим механизмы переноса носителей заряда через МДМ-структуры. Особенности работы структур МДП будут описаны в гл. [12]
Обычно у кривых lgJ ( V) имеются отчетливо выраженные области с различным наклоном. Уравнение (2.43) справедливо в том случае, когда протекание тока обусловлено термически активированным туннелированием носителей заряда. Следует отметить, что при рассмотрении солнечных элементов наиболее важна информация о довольно узкой области вольт-амперной характеристики вблизи Voc. Таким образом, эмпирические соотношения (2.41) или (2.43) достаточно точно описывают характеристики перехода. Однако изучение механизмов переноса носителей заряда через переход требует анализа характеристик в как можно более широком диапазоне. [13]
Страницы: 1