Механизм - пробой
Cтраница 4
В работах [14, 40] обнаружен и исследован механизм коллективного низкопорогового пробоя, который реализуется при повышенных концентрациях грубодисперсного поглощающего аэрозоля и лазерных импульсах миллисекундной длительности. [46]
Эта картина положена была в объяснение механизма пробоя К. Вагнером, причем Вагнер особенно подчеркивал значение отдельных участков диэлектрика, обладающих повышенной электропроводностью. [47]
Сделанный обзор дает весьма упрощенную картину механизмов пробоя газа. Целью его не является определение условий, отвечающих определенному виду пробоя; скорее этот обзор может служить введением для изучения на основе приведенных выше основных положений достигнутых в последнее время успехов в исследованиях. [48]
Эта закономерность вполне соответствует изложенному выше механизму пробоя. [49]
Зависимость пробивного напряжения от времени приложения напряжения при электротепловом механизме пробоя показана на рис. 2.41. Если мы приложим к диэлектрику напряжение [ Л на промежуток времени меньший, чем ti, и затем напряжение снимем, то диэлектрик еще не успеет разогреться и не будет пробит. [51]
Электрохимическая форма пробоя, строго говоря, не представляет собой самостоятельного механизма пробоя. Под электрохимическим пробоем обычно подразумевают пробой, вызванный структурными изменениями в диэлектрике, находящемся в электрическом поле, например вследствие появления в нем проводящих включений. [52]
 |
Идеализированная характеристика стабилитрона. [53] |
В области напряжений ниже 6 в можно считать, что лавинный механизм пробоя уже практически не имеет места и действует только туннельный механизм. Таким образом, диодами Зенера можно называть, строго говоря, только низковольтные стабилитроны. [54]
Принимая эту предпосылку, необходимо отметить три различных мнения относительно механизма пробоя - Хиппеля, Фрелиха и Ценера. [55]
Взамен гипотезы ударной ионизации электронами Вершинин предлагает новую гипотезу о механизме пробоя, основанную на представлениях о доменной неустойчивости тока или напряженности поля в сильных полях. Согласно это гипотезе, в диэлектрике могут образовываться доменные области тока или напряжения аналогично тому, как это имеет место в полупроводниках. В результате может происходить шнурование токовых каналов или возникновение областей с повышенной напряженностью поля. В работах Вершинина предпринимаются попытки математического анализа и экспериментального обоснования этой гипотезы. [56]
Страницы: 1 2 3 4