Механизм - проводимость
Cтраница 3
Исследование механизма проводимости редкоземельных окислов [14, 15] показали, что эти Окислы в вакууме являются электронными проводниками. Поэтому разумно предположить, что проводимость при малых напряжениях ( первая область выполнения закона Ома) также электронного типа. [31]
Изучение механизма проводимости П.п. связано с большими экспериментальными и теоретич. [32]
Выяснение механизма проводимости полупроводников позволяет классифицировать их по этому признаку. Проводимость, которой обладают беспримесные полупроводники, называется собственной проводимостью, а эти полупроводники - собственными полупроводниками. Проводимость, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а полупроводники, в кристаллическую решетку которых введены те или иные примеси, получили название примесных полупроводников. [33]
По механизму проводимости различают два типа полупроводников: электронные и дырочные. В узлах решетки расположены атомы цинка, заряженные положительно, и кислорода, несущие отрицательный заряд. Такие решетки называются ионными. В окиси цинка всегда имеется избыток атомов цинка, для которых не хватает места в узлах решетки, и они передвигаются в межузлия. [34]
 |
Взаимосвязь объемного сопротивления стекол при 200 и энергии активации. [35] |
О механизме проводимости в стеклах, как показано в [16] можно судить по величине энергии активации процесса. [36]
В механизме проводимости полупроводников важную роль играют примеси к основному веществу, даже при очень малом их содержании. [37]
В механизме проводимости полупроводников важную роль играют примеси, даже при очень малом их содержании. В зависимости от химической природы атомов примесей, их валентности и характера размещения в кристалле, в полупроводнике может возникнуть избыток свободных электронов или дырок и в соответствии с этим будет преобладать электронная или дырочная проводимость. Добавляя к кристаллу примесные атомы элементов пятой группы периодической системы ( мышьяк, сурьму, фосфор), можно получить полупроводник с преобладающей электронной проводимостью. Рассмотрим, например, кристалл германия, в котором один из атомов замещен атомом фосфора. [38]
В механизме проводимости полупроводников важную роль играют примеси к основному веществу, даже при очень малом их содержании. Если химическая природа примесей и их размещение в кристалле таковы, что в результате теплового движения от их атомов могут отщепляться некоторые валентные электроны ( донорные примеси), то получается полупроводник л-типа, содержащий свободные электроны, обладающий электронным механизмом проводимости. Если же примеси могут связывать электроны, отрываемые в результате теплового движения от атомов ( или молекул) кристаллической решетки, превращая эти атомы в положительные ионы ( такие примеси называют акцепторными), то получается полупроводник р-типа, обладающий вакансией для электрона-полупроводник, как говорят, с дырочным механизмом проводимости. Полупроводники ТЮ VOa, CdS, CdSe, HgS, Hg2S, CdO, ZnO, Ag2S, CsS, WO3, A12O3 проявляют проводимость преимущественно n - типа, а полупроводники Cu2O, Ag2O, Cu2S, Sb2S3, Те, Se, Hg2O, MnO, CoO, NiO, SnO-проводимость р-типа. К таким полупроводникам принадлежат Si, Ge, PbS, PbSe, PbTe, SiC, Fe4S и др. Так, в германии примеси элементов V группы периодической системы ( мышьяк, сурьма), обладающих одним избыточным валентным электроном по сравнению с германием, являю гся доновными примесями; они и придают германию свойства полупроводника л-типа. Примеси элементов, III группы ( индий, галий), содержащих на один валентный электрон меньше, чем германий, обусловливают дырочную проводимость и придают германию свойства полупроводника р-типа. [39]
В механизме проводимости полупроводников важную роль играют примеси к основному веществу, даже при очень малом их содержании. Если химическая природа примесей и их размещение в кристалле таковы, что в результате теплового движения от их атомов могут отщепляться некоторые валентные электроны ( до-норные примеси), то получается полупроводник n - типа, содержащий свободные электроны, обладающий электронным механизмом проводимости. Если же примеси могут связывать электроны, отрываемые в результате теплового движения от атомов ( или молекул) кристаллической решетки, превращая эти атомы в положительные ионы ( такие примеси называют акцепторными), то получается полупроводник р-типа, обладающий вакансией для электрона - полупроводник, как говорят, с дырочным механизмом проводимости. Полупроводники ТЮ2, V2O5, CdS, CdSe, HgS, Hg2S, CdO, ZnO, Ag2S, CsS, WOs, АЬОз проявляют проводимость преимущественно n - типа, а полупроводники Cu2O, Ag2O, Cu2S, Sb2Ss, Те, Se, Hg2O, MnO, CoO, NiO, SnO - проводимость р-типа. К таким полупроводникам принадлежат Si, Ge, PbS, PbSe, PbTe, SiC, Fe2S и др. Так, в германии примеси элементов V группы периодической системы ( мышьяк, сурьма), обладающих одним избыточным валентным электроном по сравнению с германием, являются донорными примесями; они и придают германию свойства полупроводника n - типа. Примеси элементов III группы ( индий, галлий), содержащих на один валентный электрон меньше, чем германий, обусловливают дырочную проводимость и придают германию свойства полупроводника р-типа. [40]
В механизме проводимости полупроводников важную роль играют примеси к основному веществу, даже при очень малом их содержании. [41]
Необходимость изучить механизм проводимости и желание дать более углубленную интерпретацию кондуктоме-трическим данным предполагают изучение чисел переноса в возможно большем концентрационном интервале системы. [42]
 |
Схематическое изображение структуры энергетических зон твердых тел. [43] |
Более подробно механизм проводимости полупроводников различного типа будет рассмотрен при изучении полупроводниковых приборов. [44]
Специфичность природы механизма проводимости двух ионов воды несомненна, но его количественные характеристики спорны, а соответствующие исследования не привели к единому во всех отношениях мнению. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5