Механизм - протекание - ток
Cтраница 1
Механизм протекания тока по металлам в твердом и жидком состояниях обусловлен движением свободных электронов, вследствие чего их называют проводниками с электронной проводимостью, или проводниками первого рода. [1]
Механизм протекания тока по металлам в твердом и жидком состояниях обусловлен движением свободных электронов, вследствие чего их называют проводниками cjj электронной проводимостью, или проводниками первого рода. Проводниками второго рода, или электролитами, являются растворы ( в основном водные) кислот, щелочей и солей. Прохождение тока через эти проводники связано с переносом вместе с электрическими зарядами частей молекулы ( ионов), вследствие чего состав электролита постепенно изменяется, а на электродах выделяются продукты электролиза. [2]
Механизм протекания тока по металлам в твердом и жидком состояниях обусловлен движением свободных электронов, вследствие чего их называют проводниками с электронной проводимостью, или проводниками первого рода. Проводниками второго рода, или электролитами, являются растворы ( в основном водные) кислот, щелочей и солей. [3]
 |
Распределение зарядов и потенциалов в газотропе. [4] |
Механизм протекания тока в дуговых приборах имеет некоторые особенности: в вакуумном диоде анодный ток определяется напряженностью электрического поля у катода, а в газотроне - у анода. Это приводит к уменьшению плотности отрицательного заряда в околоаподном слое. В результате диффузии происходит выравнивание концентрации электронов, и в плазме образуется непрерывный поток электронов, направленный к аноду. Увеличение тока в цепи вызывает рост напряженности поля у анода и, следовательно более интенсивную диффузию электронов в межэлектродном пространстве. [5]
Рассмотрим теперь механизм протекания тока при обратном смещении. Как следует из направления вектора электрического поля в рп-переходе, при обратном смещении основные носители не вносят вклад в электрический ток. Следовательно, можно предположить, что ток обусловлен движением неосновных носителей в каждой области. Дырки, инжектированные в п-об-ласть при ххп, под действием дрейфового поля мгновенно перемещаются к р-области. Поэтому ток в этом случае определяется количеством дырок, инжектированных за 1 с. Этот дырочный ток обусловлен диффузией дырок в области х хп. [6]
Кроме дрейфа на механизм протекания тока в полупроводниках оказывает влияние диффузия. На рис. 2.18 показано случайное перемещение носителей под действием тепловой энергии и рассеяния. Если в некотором объеме кристалла появляется градиент концентрации носителей, то возникает сила, стремящаяся уравнять эту концентрацию при хаотичном перемещении носителей. Этот процесс выравнивания концентрации носителей по объему кристалла называется диффузией. [7]
Здесь представлен общий обзор механизмов протекания тока в приборах с электронно-дырочным переходом. Подробно рассмотрен процесс переноса зарядов только электронами, поскольку для дырок может быть выполнен аналогичный анализ. [8]
В существующих установках для сварки механизм протекания тока будет представлять что-то среднее между разобранными схемами. Ток под индуктором будет протекать по трубе, в то время как замыкаться в обратном направлении он будет частично по трубе, а частично по элементам стана. Этот обратный ток протекает по столь большим поверхностям, что не вызывает их нагрева, в то время как под индуктором ток сконцентрирован. [9]
БКШ-теория включает в себя механизм протекания сверхтока, который совершенно отличается от механизма протекания обычного тока в нормальном металле и даже в гипотетическом совершенном проводнике с нулевым сопротивлением. Если процесс нормальной проводимости осуществляется одиночными электронами и их непрерывно повторяющиеся столкновения с решеткой ответственны за электрическое сопротивление металла, то носителями сверхтока являются пары слабо связанных электронов, которые не сталкиваются с атомами решетки. Отсутствие столкновений между ку-перовскими парами и кристаллической решеткой объясняет нулевое сопротивление сверхпроводника. [10]
Футеровка рамы и ее деталей ( секций, каналов и штуцеров) меняет величину и механизм протекания токов утечки. [11]
Что касается солнечных элементов на основе органических материалов, то необходимо изучить влияние на их характеристики состава и концентрации красителей, определить механизмы протекания тока, а также испытать различные типы конструкций для того, чтобы оценить возможность получения элементов с приемлемым КПД. В настоящее время эти элементы представляют лишь исследовательский интерес. [12]
Дас и др. [74] измерили вольт-амперные характеристики солнечных элементов на основе Cu2S - ZnxCd - xS и установили, что при всех возможных значениях х существуют два механизма протекания тока. У элементов обоих типов при любой температуре увеличение концентрации цинка приводит к понижению обратного тока насыщения. У элементов, создаваемых методом вакуумного испарения, возрастание напряжения холостого хода, связанное с повышением концентрации Zn, вызвано уменьшением обратного тока насыщения, которое обусловлено главным образом увеличением ФВ - Авторы [74] отмечают, что несоответствие параметров кристаллических решеток используемых материалов не оказывает существенного влияния на плотность состояний в области границы раздела. Марти-нуцци и др. [22] утверждают, что в исследованных ими элементах возрастание Voc связано непосредственно с увеличением высоты барьера и, следовательно, с уменьшением & ЕС. [13]
При высокой температуре и большой толщине барьера плотность тока носителей заряда, определяемого термической энергией активации, / 0 / примерно равна q b / AT p, где Ф /, - высота барьера и Ат р - диодный коэффициент, отвечающий термозмиссионно-полевому механизму протекания тока. При низких температурах и тонких барьерах / 0 / почти не зависит от температуры. [15]
Страницы: 1 2 3