Cтраница 4
Механизм прохождения тока в неподвижном бинарном электролите совершенно ясен и не требует особых комментариев. Иначе обстоит дело в перемешиваемом растворе. В объеме электролита, который рассматривается как линейный однородный проводник, ток переносится обоими ионами, а в диффузионном слое - только разряжающимся ионом. В объеме парциальные токи i и i равны, если одинаковы соответствующие кинетические параметры. В диффузионном слое ток Г возрастает, а г стремится к нулю. Таким образом, ж-компо-ненты парциальных токов не сохраняются. [46]
![]() |
Схема перераспределения парциальных токов.| Схема ячейки ( стрелками отмечены линии тока жидкости. [47] |
Механизм прохождения тока в неподвижном бинарном влектролите совершенно ясен и не требует особых комментариев. Иначе обстоит дело в перемешиваемом растворе. В объеме электролита, который рассматривается как линейный однородный проводник, ток переносится обоими ионами, а в диффузионном слое - только разряжающимся ионом. В объеме парциальные токи Г и 1 равны, если одинаковы соответствующие кинетические параметры. В диффузионном слое ток i возрастает, а / стремится к нулю. Таким образом, я-компо-ненты парциальных токов не сохраняются. [48]
Но механизм прохождения тока через растворы электролитов совершенно иной, чем в металлических проводниках. [49]
![]() |
Зонные диаграммы омического контакта. [50] |
Поэтому в целом структура п-п - т ведет себя почти как омическое сопротивление слоя п при любой полярности напряжения. Рассмотрим механизм прохождения токов. Пусть напряжение приложено минусом к слою п и плюсом к металлу. Электроны из слоя п будут свободно переходить в слой п независимо от высоты барьера п-п, а понижение барьера п - т обеспечит переход электронов из п - слоя в тл-слой. Пусть теперь напряжение приложено плюсом к n - слою. При этом потенциалы п - и п - слоев понизятся, и высота барьера п-п сделается меньше; соответственно электроны п - слоя смогут переходить в я-слой. [51]
Дефекты, возникающие на границе раздела двух полупроводников, создают условия для рекомбинации и генерации носителей заряда в гетеропереходе - рекомбинационные ловушки. В результате механизмы прохождения тока через реальный и идеальный гетеропереходы могут отличаться, что не даст возможности использовать специфические свойства гетероперехода. [52]
Хорошо известно, что под действием различных факторов ( рентгеновских лучей, радиоактивности и пр. В этом случае механизм прохождения тока объясняется, так же как и в электролитах, появлением положительных и отрицательных ионов. [53]