Механизм - процесс - рост
Cтраница 1
 |
Молекулярная модель микротрещины.| Вид кривой потенциальной энергии по флуктуационной теории прочности. [1] |
Механизм процесса роста и смыкания микротрещин в ориентированных полимерах основан на молекулярной модели микротрещины ( рис. VI. [2]
В этих примерах механизм процесса роста определялся непосредственно, и поэтому не нужно делать никаких предположений о характере процесса на основании значения показателя степени п в формуле Аврами. [3]
В настоящей работе относительно механизма процесса роста кристалла вводится единственное допущение, что скорость роста кристалла не зависит от его размера. [4]
 |
Кривые скорости тепловыделения в ходе и по окончании облучения образцов в диатермическом калориметре при температуре жидкого гелия. [5] |
Необходимо было исследовать кинетику и механизм процессов роста цепей полимеризации ФА. [6]
Исследование полимеризации и сополимеризации метил-метакрилата, стирола и диенов в растворителях различной полярности в присутствии высокодисперсных ( размер частиц до 1 мк) кальция, стронция и бария позволило установить [49, 50] анионный механизм процесса роста макромолекул сополимеров, фиксированных вблизи поверхности металла. [7]
Уже это краткое описание типичных характеристик мартенситных превращений показывает, что они очень сильно отличаются от параметров, характеризующих процессы зарождения и роста, однако необходимо подчеркнуть, что известно, кроме того, несколько промежуточных классов превращений. Вышеприведенное деление основано на механизме процесса роста и вполне применимо постольку, поскольку чаще всего наблюдаемые особенности превращения можно отнести именно за счет стадии роста. Однако в общем случае кинетика превращения зависит как от зарождения, так и от роста, причем наиболее сильно от более медленной из этих двух стадий. [8]
 |
Двумерная иллюстрация закона постоянства углов между гранями и подобия форм большого и маленького кристаллов. Обозначена также плоскость ( 320. [9] |
Рассмотрите рис. 31.4, который значительно упрощен, поскольку любой кристалл, достаточно большой для измерений, состоит обычно из многих сотен или тысяч элементарных ячеек. Однако утверждение, что в каждом случае образованием граней кристалла целиком управляет термодинамика, было бы неверным; вполне возможно, что закономерности огранки обусловлены скоростью и механизмом процессов роста. [10]
Низкие энергии активации процессов роста и травления германия, а также зависимости скорости роста от скорости потока дают основание предполагать, что при осаждении и травлении в атмосфере водорода в области высоких температур определяющую роль играет перенос вещества. Это подтверждается также и отмеченными ранее наблюдениями за структурой поверхности слоев. Вместе с тем при низких температурах важную роль должны играть поверхностные процессы. Однако изменение вида температурной зависимости, характерное для смены механизма процесса роста, в работе [55] не наблюдалось. [11]
Страницы: 1