Механизм - рост - пленка
Cтраница 1
Механизм роста пленки SiO2, по-видимому, заключается в полимеризации свободных радикалов типа Si-О, образуемых при столкновении ионизированных молекул газа-носителя с органической молекулой и адсорбируются поверхностью подложки. [1]
Рассмотрим механизм роста пленок ферритов при газотранспортном методе их синтеза. [2]
Однако и в понимании механизма роста пленок эпитаксиальные процессы осаждения также играют большую роль. [3]
Рассмотрен механизм термораспада металлоорганическпх соединений и механизм роста пленок, а также показаны пути регулирования этих процессов химическими и физическими способами. Дано сравнение пленок, полученных осаждением из паровой фазы при распаде металлоорганическпх соединений, с пленками, полученными другими способами. [4]
Общий механизм роста поликристаллических слоев похож на механизм роста эпитак-спальных пленок, за исключением того, что срастающиеся островки в в этом случае имеют произвольную относительную ориентацию, подчиняющуюся случайному закону распределения. Обнаружено, что во время срастания происходит рекристаллизация, так что размер зерен в готовой пленке много больше среднего расстояния между начальными зародышами. Для всех четырех образцов осаждение началось одновременно; для того, чтобы менять время осаждения от образца к образцу, использовалась движущаяся заслонка. Существенная рекристаллизация происходит даже, если подложка находится при комнатной температуре; при этом в каждом зерне объединяются 100 или больше первоначальных зародышей. Таким образом, фактором, определяющим размер зерен в готовой пленке, является не первоначальная концентрация зародышей, а процесс рекристаллизации, происходящий при коа-лесценции зародышей или островков. [5]
Фольмера-Вебера аморфный слой не образуется, то отсюда можно заключить, что наличие нановыступов на поверхности подложки приводит к механизму роста пленок, отличному от основных ранее известных типов роста. [7]
Если подложка ( подслой) имеет случайно ориентированные зерна или аморфна, то зародыши ( зерна) осаждаемой пленки будут также случайно ориентированы, как в процессах термоактивируемого ХОГФ пленок алюминия, меди и вольфрама на поверхности двуокиси кремния. Механизм роста пленки фактически берет под контроль структуру пленки после прохождения стадии зародышеобразования. Операционные параметры, при которых происходит сильная поверхностная диффузия частиц осаждаемой пленки, шероховатость поверхности или случайные поверхностные загрязнения могут быть определяющими факторами при формировании структуры осаждаемых в процессах ХОГФ пленок. [8]
Исследована кинетика образования полимерных пленок из тетраэтилгермана, тетраметилсилана и н-гексана в различных условиях эксперимента. Высказаны предположения о механизме роста пленок и показано, что процесс идет через адсорбированную фазу. [9]
В общем случае коэффициент п зависит от температуры. Если температура изменяется в относительно узком интервале и в механизме роста пленки не происходит качественных изменений, то величину п можно считать постоянной. [10]
В общем случае коэффициент п зависит от температуры. Если температура изменяется в относительно узком интервале и в механизме роста пленки не происходит качественных изменений, то величину п можно считать постоянной. [11]
Появление лорарифмичеекой зависимости может быть объяснено тем, что процесс окиеления контролируется переносом электронов через пленку - туннельный эффект или торможением диффузии частиц вследствие наличия большого количества мелких пузырей в пленке. При увеличении толщины пленки логарифмическая завиеимоеть превращаете в параболическую, что объясняется изменением механизма роста пленки. [12]
Земелом ( США), большим специалистом в области физики тонких пленок, является по существу одним из первых детальных обзоров физических свойств пленок халькогенидов свинца. Дан подробный критический анализ многочисленных исследований эпитаксиального роста пленок на подложках из каменной соли, выяснено влияние режима напыления на механизм роста пленки. Специально анализируется роль азимутальной разориентации блоков пленки в рассеянии свободных носителей на границах зерен. В обзоре приведен обширный фактический материал по объемным свойствам пленок, результаты исследований гальваномагнитных, оптических и квантовых эффектов в пленках указанных соединений. Дано описание основных экспериментальных методов исследования пленок. Отдельный раздел посвящен исследованию поверхностных эффектов в пленках. [13]
Для формирования окисных пленок металлов используют также анодное окисление, при котором химически активные вещества ( металлы) взаимодействуют с ионами кислорода, выделяющегося у анода при электролизе. При этом металл анода не растворяется как в случае электроосаждения. Механизм роста пленки заключается в переносе ионов кислорода через растущий окисный слой под действием электрического поля, возникающего в пленке при приложении к электродам внешнего поля. [14]
В интервале частот выше 1 ГГц о работе тонкопленочных преобразователей известно очень мало. Обнаружено устойчивое ухудшение их характеристик, хотя неясно, в какой степени оно обусловлено увеличением трудности проведения точных измерений. Из анализа механизма роста пленок CdS с ориентацией необходимой для генерации волн сдвига, следует, что подавление продольных мод должно существенно ухудшаться с уменьшением толщины пленок и с увеличением частоты, и это действительно имеет место Однако в пленках ZnO, ориентированных осью С параллельно поверхности и генерирующих волны сдвига, подавление не ухудшается вплоть до частоты 3 ГГц, хотя, как и во всех преобразователях с волнами сдвига, с увеличением частоты наблюдается уменьшение эффективного коэффициента электромеханической связи Чтобы преодолеть трудности, возникающие при работе на частотах порадка гигагерц, и получить увеличение эффективности преобразования, была исследована структура, состоящая из многих пленок. Эга структура обеспечивала потери преобразования порядка 10 дБ ( при согласовании с высокодобротной цепью) в интервале частот 2 - 4 ГГц [36] Для определения оптимальных режимов работы преобразователей, особенно на высоких частотах, необходимы дальнейшие исследования. [15]
Страницы: 1 2