Механизм - возникновение - шум
Cтраница 1
Механизм возникновения шума во всех этих материалах и элементах приборов точно не установлен. Однако спектральная плотность шума уменьшается приблизительно обратно пропорционально частоте по закону А / /, где А - некоторая константа; а 0 8ч - 1 4 - коэффициент. Отсюда происходит название l / f - шум. В области низких частот до 105 - 106 Гц для большинства электронных приборов 1 / / - шум на 1 - 2 порядка превышает шумы других видов. Поэтому 1 / / - шум часто называют избыточным. Механизм возникновения 1 / / - шума обусловлен медленными случайными флуктуациями физико-химического состояния отдельных областей материалов. [1]
 |
Декодирование сигнала на приемной стороне. [2] |
Механизм возникновения шумов в телефонных каналах при временном уплотнении на РР линии имеет свои особенности. [3]
Механизмы возникновения шумов в МДП-транзисторах аналогичны. Отличиэ заключается в том, что на низких частотах шумы определяются в первую очередь генерационио-рекомбинационными процессами на границе раздела диэлектрик - полупроводник. [4]
Важнейшим механизмом возникновения шума в полевых транзисторах ( ПТ) являются тепловые флуктуации, которые имеют место в популяции носителей в канале транзистора. Подобные флуктуации проводимости приводят к возникновению теплового шума токов стока и затвора. Другим существенным источником шума является генерация носителей в обедненной области канал - затвор; в ПТ с р-я-переходом механизм подобного же типа приводит к появлению дробового шума в токе утечки через затвор. Другие источники шума в ПТ, включая флуктуации в концентрации носителей в канале, связанные с рекомбинационно-генерационными процессами через ХШР-цент-ры, локализованные в канале, или за счет частично ионизованных доноров ( канала я-типа), или акцепторов ( канала / 7-типа), как правило, несущественны. [5]
Эти соотношения характеризуют поверхностный механизм возникновения шума с равномерным распределением ловушек. [6]
Так как модель Мак-Уортера основана на поверхностном механизме возникновения шума, можно ожидать, что пблный спектр будет по характеру отличаться от гипотетического закона Хуга [ уравнение (6.29) ], который основан на представлениях о флуктуациях объемного происхождения. [7]
Применяя специальные конструктивные меры по снижению шумов и глубокое охлаждение чувствительного слоя, величину собственных шумов можно сделать достаточно малой. Рассмотрим кратко механизм возникновения шумов различного типа. [8]
В последнее время специалисты уделяют существенное внимание применению дополнительных мер по снижению вибрации и шума. Они не связаны прямо с механизмами возникновения шума, среди которых различают передачу звуковой энергии деталям и узлам системы привода, прохождение звуковой вибрации к фундаменту, излучение звука внешними, внутренними конструкциями и фундаментом. В этих случаях предпочтительнее использовать внутреннюю виброакустическую изоляцию машин и оборудования, суть которой заключается в минимизации потока энергии и нахождении экстремальных значений скорости его распространения по внутренним системам машин. [9]
Позднее будет выведено уравнение для Еь / 10, подобное (12.41), где / о характеризует спектральную плотность мощности интерференции, возникающей между несколькими пользователями сотовой системы связи CDMA. Принцип вычисления отношения удельной энергии к мощности помех не изменяется вне зависимости от механизма возникновения шумов: случайная интерференция, преднамеренное подавление сигнала или интерференция между сигналами пользователей в одной спектральной области. [10]
Чтобы конкретизировать шумовые генераторы на входе и выходе, необходимо знать подробности схемы и характеристики внутренних источников шума. Здесь внутренние источники связаны с электронными устройствами внутри системы и, вообще говоря, сильно зависят от прибора, несмотря на то что физические механизмы, ответственные за этот шум, могут быть общими для целого круга устройств. Много места в книге уделяется механизмам возникновения шума и связанным с ними шумовым генераторам в конкретных устройствах. [11]
Шум в коротком диоде сам по себе не имеет какого-то особого практического значения. Тем не менее вопрос представляется важным, так как в биполярных транзисторах область базы является очень узкой по сравнению с длиной диффузии неосновных носителей. Конечно, имеется разница между тем, что происходит в триоде и диоде. В диоде металлический контакт обеспечивает граничное условие p pw при xW и, кроме того, является источником основных носителей для нейтрализации потенциалов в n - области. Эти две функции в транзисторе разделены между коллекторным переходом, который обеспечивает необходимые условия на границе, и контактом с базой, через который инжектируются основные носители. Но механизмы возникновения шума в этих двух случаях идентичны, и поэтому если рассмотреть такой процесс в коротком диоде, то можно сделать определенные выводы и о шумовых свойствах транзисторов. [12]
Страницы: 1