Cтраница 1
Механизм гибели радикалов под действием Н2 и легких углеводородов пока не ясен. [1]
Механизм гибели радикалов в процессе облучения нельзя считать достаточно выясненным, хотя некоторые из выдвинутых представлений, по-видимому, правильно описывают те или иные стороны явления. [2]
Для объяснения механизма гибели радикалов при нагревании облученных полимеров были выдвинуты различные предположения. Так как при воздействии излучения образуется атомарный водород, то, вероятно [201, 231], последний отрывает атом Н от ближайшей полимерной цепи, благодаря чему образуются радикалы, причем они образуются парами. При рекомбинации радикалов, образовавшихся на соседних полимерных цепочках, возникает межмолекулярная поперечная связь. [3]
Из вида кинетического уравнения, естественно, не вытекает однозначно механизм гибели радикалов в результате действия излучения. Относительно этого механизма могут быть высказаны различные предположения, нуждающиеся в экспериментальной проверке. Тем не менее мы можем говорить об уничтожении радикалов излучением, зная, что облучение является первичной причиной исчезновения радикалов и скорость этого процесса пропорциональна интенсивности облучения. [4]
Основные пути гибели феноксильных радикалов - реакции ди-меризации и диспропорционирования, причем часто обе эти реакции протекают одновременно, что затрудняет выяснение механизма гибели радикала. [5]
Возникновение предельной концентрации радикалов при облучении твердых веществ обусловлено их гибелью параллельно с процессом их образования. Механизм гибели радикалов в процессе облучения нельзя считать достаточно выясненным, хотя некоторые из выдвинутых представлений, по-видимому, правильно описывают те или иные стороны явления. [6]
Эти результаты, по всей вероятности, завышены; возможно, что механизм фотолиза, принятый авторами, неверен. Например, квантовый выход может быть более 1; механизм гибели радикалов DS недостаточно хорошо известен. [7]
Гибель радикалов N2H3 в у-облученном гидразине под действием ультрафиолетового света происходит в области А. В этом случае трудно отдать предпочтение какому-либо из рассмотренных 3 выше двух механизмов гибели радикалов. [8]
Необходимо указать, что темновой предел в сосуде, подвергнутом освещению ультрафиолетовым светом, примерно в 1.5 - 2 раза выше, чем в обычном сосуде ( ср. Причины этого явления неясны; оно может быть связано с какой-то обработкой поверхности сосуда, либо существенно меняющей механизм гибели радикалов НО2 на стенке, либо приводящей к повышенной по сравнению с термической гетерогенной генерации активных центров. После многократного облучения темновой предел оказывается очень хорошо воспроизводимым, и смещение предела под действием света можно приписывать рассмотренной выше реакции взаимодействия цепей. [9]
Приведенные значения получены [47] для фотолиза D2 § в присутствии На. Эти результаты, по всей вероятности, завышены; возможно, что механизм фотолиза, принятый авторами, неверен. Например, квантовый выход может быть более 1; механизм гибели радикалов DS недостаточно хорошо известен. [10]