Зонный механизм

Cтраница 1

Зонный механизм заключается в следующем Электроны в кристалле обладают строго определенными значениями энергии. Наивысший энергетический уровень - зона, в которой на-ходятся электроны, называется валентной. Наряду с разрешенными зонами существуют так называемые запрещенные, соответствующие тем значениям энергии, которыми электрон не может обладать. Для перехода с одного энергетического уровня на другой электрон должен преодолеть запрещенную зону. В металлах валентная зона не полностью заполнена электронами Наличие в этой зоне свободных уровней позволяет электрону переходить легко на них с заполненных уровней той же зоны, что и обусловливает хорошую электропроводимость металлов. [1]

Зонный механизм предполагает межмолекулярные л-электронные взаимодействия, приводящие к возникновению общей для всего объема полимера зоны проводимости, в которой концентрация носителей зависит от энергии вырывания электрона из я-сопряженной системы с переходом его в квазисвободное проводящее состояние ( концентрация носителей тока зависит от ширины запрещенной зоны) и которая увеличивается с ростом температуры. [2]

Зависимость электрической проводимо - jg сти терморадиационно модифицированного по-лиэтилена от частоты электрического поля. [3]

Зонный механизм может реализоваться только в пределах области непрерывного сопряжения полимерных полупроводников. В этом практически редком случае потенциальный барьер перехода в соседнюю область сопряжения может оказаться прозрачным для электрона. Поэтому в реальных полимерных полупроводниках движение носителей заряда на макрорасстояния и, следовательно, их дрейфовая ( эффективная) подвижность преимущественно определяются прыжковым механизмом. [4]

Зонный механизм проводимости характерен для полупроводников с низким сопротивлением и высокой подвижностью носителей тока. Туннельный механизм электропроводимости обусловлен вероятностью безактивационного перехода ( просачивания) электронов через энергетический барьер. [5]

Согласно зонному механизму носители заряда движутся по обобщенным энергетическим зонам я-электронов всего полимера. [6]

Феноменологически механизм перескоков и зонный механизм при наличии большого количества ловушек будут проявляться одинаково. [7]

Таким образом, простое рассмотрение показывает, что зонный механизм применим, если микроскопическая подвижность по величине превышает единицу. При меньших подвижностях следует рассматривать перескоковый механизм движения зарядов. [8]

Таким образом, вопрос о том, справедлив ли зонный механизм, до сих пор остается для антрацена открытым. В тетрацене наблюдается зонный механизм. [9]

Энергетические схемы примесных полупроводников с электронной ( а к дырочной ( б проводимостью. [10]

Однако в тех случаях, когда перенос тока по зонному механизму оказывается затрудненным ( например, при образовании слишком узких зон проводимости вследствие слабых электронных взаимодействий в кристалле), может иметь место другой, так называемый перескоковый механизм. [11]

При дальнейшем росте размеров полисопряженных молекул происходит переход к зонному механизму и энергия активации рождения носителей через возбужденные, триплетные состояния падает. Образование носителей, по-видимому, происходит при взаимодействии двух зкситонов. Как видно из рисунка, антрацен действительно близок к переходному участку между двумя механизмами проводимости, хотя все же и остается в области пере-скоковой подвижности. [12]

Из этих данных следует, что для полимерных КПЗ мала вероятность зонного механизма электропроводности, как и в случае полимеров с сопряженными двойными связями вдоль макромолекул. Малая подвижность носителей и отсутствие эффекта Холла у многих полимерных КПЗ указывает на то, что электропроводность этих веществ в основном соответствует барьерному механизму движения носителей. В сильных КПЗ, ион-радикальных соединениях типа комплексов тетрацианхинодиметана с полимерами, возможно образование цепей ион-экситонного типа R - R 1 R - R J, в которых вследствие сильного взаимодействия облегчается перенос носителей. [13]

Для углеродистых тел, прошедших высокотемпературную обработку ( стадия графитации), характерен зонный механизм. [14]

Исследован процесс получения дисперсных систем ( эмульсий, суспензий) в полостях АГВ на базе концепции зонного механизма разрушения, предложенный автором. [15]

Страницы: 1 2 3