Обсуждаемый механизм

Cтраница 1

Обсуждаемый механизм будет соответствовать экспериментальным данным и теоретическим представлениями, если предположить, что в комплексе ( III) происходит перенос не гидрид-иона, а протона. Более вероятным представляется прямое электрофилъ-ное присоединение гидрокарбонилов к олефинам ( [1, 2], см. также Наст, сб. [1]

Почему обсуждаемые механизмы неэффективны применительно к тем сильно неоднородным системам, для которых имеется согласие этого приближения с опытом. [2]

Впрочем, обсуждаемый механизм радиоизлучения не является единственно возможным при ядерных взрывах. [3]

Зависимость энергии активации реакцнти разложения до углерода от индекса свободной валентности. [4]

Таким образом, обсуждаемый механизм образования пироуглерода, по-видимому, объясняет все экспериментально установленные закономерности этого процесса. [5]

Ни один из обычно обсуждаемых механизмов рассеяния не приводит к наблюдающемуся в этих образцах резкому уменьшению подвижности с уменьшением температуры. Это приводит к мысли о существовании другого процесса проводимости, возможно, проводимости в примесной зоне, вступающей в игру при низких температурах и характеризующейся малой подвижностью носителей тока. [6]

Для этой цели нужно ясно представить себе обсуждаемый механизм явлений перенапряжения. В начальном состоянии на поверхности катода имеется слой адсорбированных молекул воды. [7]

Для естественных языков и поныне не удалось вполне формализовать обсуждаемый механизм, но построены его приближения. Среди них наиболее употребительны КС-грамматики ( по-английски context-free), особенно для определения синтаксиса языков программирования. [8]

В более поздних исследованиях [90, 91] получены дополнительные непосредственные доказательства обсуждаемого механизма. [9]

Действительно, системы уравнений, описывающих кинетическое поведение реакции для двух обсуждаемых механизмов, различны, следовательно, должны наблюдаться различия и в уравнениях, представляющих решение этих систем. [10]

На этом этапе рассмотрения должна быть учтена геометрия поверхности, и для обсуждаемых механизмов потребуются сведения о точном расположении поверхностных атомов. Следует допустить, например, что некоторые процессы могут протекать на одних кристаллографических плоскостях, но не на других, однако лишь небольшое число исследований механизма достигло этой степени детализации. [11]

Ясно, что этот пример не является в действительности предельным случаем в обсуждаемом механизме; однако его следует учитывать при использовании других субстратов, катализаторов [5] или в реакциях при пониженном давлении водорода. [12]

В настоящее время нет экспериментальных данных о значениях Ко, Къ К % поэтому обсуждаемые механизмы неразличимы. [13]

Матрица М вместе с единичной матрицей третьего порядка дает простейшую матрицу стехиометрических чисел для обсуждаемого механизма. [14]

Так как, кроме того, скорость рацемизации здесь равна скорости замещения, в этом можно видеть доказательство обсуждаемого механизма замещения. Каждый отдельный акт бимолекулярного, нуклео-фильного замещения ведет к обращению. [15]

Страницы: 1 2 3