Cтраница 4
Шултин предложил следующий механизм растворения: при соприкосновении металла с раствором часть ионов металла, составляющая его кристаллическую решетку, переходит в раствор, оставляя металлическую поверхность заряженной отрицательно; возникающий двойной электрический алой, внешнюю обкладку которого в первый момент составляют перешедшие в раствор ионы металла, через некоторое время может прекратить дальнейшее растворение. Однако в результате кинетического взаимодействия раствора часть ионов металла мо жет быть заменена в двойном слое другими, присутствующими в растворе катионами. Если они имеют менее отрицательную природу, то неизбежно должны будут разрядиться и тем самым вызвать продолжение процесса растворения. Таким образом, роль постороннего включения может сводиться не к образованию элементов, а: к облегчению катодной реакции вследствие понижения т ] На на них. [46]
Отсюда вытекает следующий механизм реакции, предложенный А. [47]
Можно рассматривать следующие механизмы процессов разрушения, в значительной степени отличающиеся друг от друга: хрупкое, высокоэластическое и пластическое разрушение. [48]
Авторы предлагают следующий механизм реакции полимеризации изопрена. [49]
Можно предположить следующий механизм окисления са-харов: вначале образуется эфир сахара с бихроматом, в KOJ тором затем происходит отщепление гидрид-иона от пяти-членного цикла. [50]
Был предложен следующий механизм полимеризации ацетона. По мере конденсации и утолщения слоя замороженной фазы расстояние между поверхностью реакционного сосуда и внешней поверхностью конденсата увеличивается. Температура внешней поверхности конденсата непрерывно возрастает, в результате чего поверхность покрывается слоем жидкости. Полимеризация протекает на разделе поверхности замороженного и жидкого слоев. Иными словами, полимеризация происходит на границе раздела упорядоченной и неупорядоченной фаз. [51]
Был предложен следующий механизм присоединения брома к Этилену. [52]
Можно представить следующий механизм роста окисленного слоя: постадийное окисление кремния на границе раздела окисел - кремний, вследствие чего эта граница передвигается в глубь кремниевой пластины. [53]