Различный механизм - рассеяние
Cтраница 1
Различные механизмы рассеяния характеризуются разными энергетическими и температурными зависимостями времени релаксации. Для основных механизмов зависимость т ( е) в случае стандартной ( параболической изотропной) зоны носит степенной характер. [1]
Различные механизмы рассеяния характеризуются разными энергетическими и температурными зависимостями времени релаксации. Для основных механизмов зависимость т () в случае стандартной ( параболической изотропной) зоны носит степенной характер. [2]
Существуют различные механизмы рассеяния носителей. [3]
Естественно, что вклад различных механизмов рассеяния в суммарное времй релаксации зависит от температуры кристалла. По мере изменения энергии носителей заряда роль одних механизмов рассеяния уменьшается, а других возрастает. Поэтому характер движения носителей заряда под действием внешнего поля зависит от того, какой из механизмов рассеяния является преобладающим в данном интервале температур. [4]
По Пайерлсу, одновременное присутствие различных механизмов рассеяния тепловых волн аддитивно сказывается на. [5]
Достаточно удовлетворительным приближением является предположение о независимости действия различных механизмов рассеяния. [6]
Для различных типов химической связи современная теория твердого тела предсказывает различный механизм рассеяния носителей тока. У кристаллов с преобладанием ковалентной связи носители тока рассеиваются акустическими колебаниями решетки ( фононами), а у ионных кристаллов, в основном, - оптическими колебаниями, сопровождающимися поляризацией вещества. [7]
Самовоздействие приводит к очень любопытному эффекту, если в разных интервалах полей работают различные механизмы рассеяния. Как показано в монографии [1], может случиться так, что зависимость температуры от амплитуды электрического поля будет описываться S-образной кривой. Состояние электронного газа, соответствующего интервалу полей, на котором температура уменьшается с ростом поля, является неустойчивым. [8]
Теплопроводность распределяется на две расположенные по обе стороны от ее максимума зоны, определяющиеся различными механизмами рассеяния. [9]
Отношение а а может зависеть от температуры, так как для разных дырок могут доминировать различные механизмы рассеяния, ибо легкие дырки рассеиваются на примесях значительно сильнее, чем тяжелые. [10]
При, рассмотрении вклада фононов в теплопроводность необходимо понять, как комбинируются между собой несколько различных механизмов рассеяния, обусловливающих наблюдаемую проводимость. [11]
Анализ показывает, что температурная зависимость подвижности электронных носителей тока в ионных кристаллах может быть весьма сложной, особенно при наложении различных механизмов рассеяния. Это приводит к значительным трудностям при интерпретации экспериментальных данных по температурной зависимости электропроводности нестехиометрических ионных кристаллов. Положение осложняется еще и тем, что концентрации как ионных, так и электронных дефектов в таких системах описываются простыми выражениями (5.61) и (5.91) только в предельных случаях, когда можно ограничиваться учетом двух типов доминирующих дефектов. В промежуточных же случаях интерпретация экспериментальных результатов часто оказывается чрезвычайно затруднительной. [12]
 |
Зависимость электропроводности от абсолютной температуры для той же, что и на 1, серии легированных мышьяком образцов германия. [13] |
Наблюдающийся на опыте ход подвижности для разных полупроводников может быть очень сложным, являясь отраже нием последовательного наложения и смены, с изменением температуры, различных механизмов рассеяния. На рис. 2 для примера представлена зависимость подвижности электронов от температуры для той же, что и на рис. 1, серии образцов германия, легированных мышьяком. Прерывистая линия характеризует рассеяние на тепловых колебаниях решетки. [14]
Для невырожденных полупроводников, для которых применимы классическая статистика Больцмана и степенной закон зависимости времени релаксации от энергии, средние величины, входящие в выражение для коэффициента г, вычислены для различных механизмов рассеяния носителей заряда. [15]
Страницы: 1 2 3