Поверхностная миграция
Cтраница 4
Согласно приведенной модели, остающиеся 9 6 % поверхностных гидроксильных групп могут быть удалены с окиси алюминия только в результате поверхностной миграции, предшествующей реакции с выделением воды. [46]
Если на эмитирующее острие, нагретое до температуры 1000 - 1500 С, конденсировать атомы вольфрама, то удается наблюдать [2116, 213] поверхностную миграцию этих атомов, которая происходит в определенных предпочтительных направлениях. Аналогичные явления наблюдаются при конденсации атомов никеля на никелевом эмитирующем острие [214], и поэтому, следуя Гомеру, можно принять, что монокристаллическое острие обладает сферической формой и имеет небольшие кристаллические грани с малыми индексами, отделенные одна от другой промежуточными областями без острых ребер. Все эти наблюдения, вероятно, указывают на то, что изменение работы выхода с переходом от одного кристаллографического направления к другому не обязательно связано с фактическим присутствием соответствующих этим направлениям граней на поверхности кристалла. Отсюда, вероятно, можно сделать вывод, что работа выхода зависит от направления, в котором электрон покидает металл. [47]
Если на эмитирующее острие, нагретое до температуры 1000 - 1500 С, конденсировать атомы вольфрама, то удается наблюдать [2116, 213] поверхностную миграцию этих атомов, которая происходит в определенных предпочтительных направлениях. Все эти наблюдения, вероятно, указывают на то, что изменение работы выхода с переходом от одного кристаллографического направления к другому не обязательно связано с фактическим присутствием соответствующих этим направлениям граней на поверхности кристалла. Отсюда, вероятно, можно сделать вывод, что работа выхода зависит от направления, в котором электрон покидает металл. [48]
Во время процесса окисления при температурах ниже температуры плавления серебра создаются электрические и термические поля, которые облегчают испарение металла и поверхностную миграцию его атомов; при этом образуются четко выраженные грани с простыми кристаллографическими индексами. [49]
 |
Модель сил сцепления s кристалле. [50] |
При низкой температуре процесс конденсации сопровождается более интенсивным образованием центров кристаллизации за счет эффективного энергообмена между частицами газовой фазы и криоосадка и ограниченной поверхностной миграции конденсируемых частиц. Эти обстоятельства обусловливают рост мелкокристаллической ( рыхлой) структуры криоосадка. [51]
Исключением является только работа [63], в которой отсутствие со гласия между обычной диффузионно-кинетической теорией и опытом рассматривается как аргумент в пользу механизма поверхностной миграции. [52]
Исключением является только работа [63], в которой отсутствие со гласия между обычной диффузионно-кинетической теорией и опытом рассматривается как аргумент в пользу механизма поверхностной миграции. [53]
Места у выделившегося атома вольфрама наиболее активны в отношении адсорбции водорода ( положение у поликристалла Косселя) и быстро занимаются атомами водорода в результате поверхностной миграции. Этим самым создается ускорение роста зародыша по периферии, так как и сам акт реакции выделения единичного атома вольфрама и акт встраивания его в правильное положение в кристаллическую. По мере роста зародыша в тангенциальном направлении на его поверхности может адсорбироваться атом водорода с большой теплотой адсорбции, который даст начало застройки следующему слою благодаря повышенной вероятности реакции восстановления галогенида водородом. [54]
Страницы: 1 2 3 4