Микроискажение

Cтраница 2

Следует отметить, что накопление микроискажений кристаллической решетки стали 20Н2М чередуется с процессами деформационного старения ( падение уровня микродеформаций), вызванными взаимодействием и аннигиляцией дислокаций, приводящими к образованию коагулированных вакансий, и в конечном итоге, к появлению цесплошностей. [16]

На рис. 43 приведены зависимости микроискажений кристаллической решетки аустенитной стали 18 - 10 от числа циклов на-гружения в малоцикловой области, показывающие стадийность усталостного процесса, имеющую различный характер при испытаниях на воздухе и в коррозионной среде. В первом случае достижение уровня микроискажений, приводящего к разрушению, приурочено к концу усталостных испытаний непосредственно перед разрушением, во втором - этот уровень достигается на ранних стадиях нагружения. При этом обнаруживается четкая корреляция между изменениями микродеформаций кристаллической решетки и потенциалами нарушения пассивного состояния: с увеличением уровня микроискажений кристаллической решетки сплава, повышающего химический потенциал его атомов, происходит падение потенциала питтингообразования. [17]

На рис. 111 показано изменение микроискажений кристаллической решетки II рода Да / а стали 20Н2М по мере ее циклического нагружения на воздухе и в присутствии коррозионной среды вплоть до разрушения, а также соответствующее изменение величин локальных электродных потенциалов ср. [18]

Использовался рентгенографический метод, позволяющий определить микроискажения ( напряжения 2-го рода) по уши-рению дифракционных линий, которое приблизительно пропорционально / т, где m - плотность хаотически распределенных дислокаций. Поэтому значение микроискажений позволяет косвенно судить о плотности дислокаций в исследуемых покрытиях. [19]

Соответственно возрастают плотность дислокаций и величины микроискажений вплоть до С 30 г / л, а затем с дальнейшим ростом концентрации частиц наблюдается их снижение. Таким образом, оптимальная прочность у КЭП наблюдается, как и в случае покрытий Си - MoS2, при умеренной концентрации II фазы. [20]

Все это обусловливает необходимость подробного рассмотрения микроискажений в трущихся поверхностных слоях. [21]

Величина вызванных дальнодействующими полями внесенных зерно-граничных дислокаций упругих атомных смещений в теле зерен в зависимости от выраженного в числе атомных слоев расстояния от границы зерна. [22]

Количественная оценка показывает, что величина упругих микроискажений решетки, обусловленная дальнодействующими полями внесенных ЗГД в теле зерен при их плотности р 1 ОнмГ1, очень велика и составляет, например, 2 55 % при размере зерен равном 20 параметров кристаллической решетки. [23]

Рентгенограмма наноструктурной Си, полученной РКУ-прессованием, после отжига при Т 170 С в течение 90 мин. [24]

Анализ [81] эволюции размера зерен и микроискажений кристаллической решетки в ходе отжига, проведенного при температуре Т 170 С в течение различного времени, обнаружил, что увеличение размера зерен в направлении ( 111) протекает постепенно, резко возрастая после 90 мин отжига. В то же время заметное увеличение размера зерен в направлении ( 200) наблюдается уже после 60 мин и резко возрастает при больших временах отжига. С другой стороны, микроискажения кристаллической решетки в направлении ( 111) остаются неизменными вплоть до 60 мин отжига включительно и далее резко уменьшаются. Одновременно микроискажения в направлении ( 200) уменьшаются плавно вплоть до 60 мин отжига, а затем резко уменьшаются. [25]

Величина вызванных дальнодействующими полями внесенных зерно-граничных дислокаций упругих атомных смешений в теле зерен в зависимости от выраженного в числе атомных слоев расстояния от границы зерна. [26]

Количественная оценка показывает, что величина упругих микроискажений решетки, обусловленная дальнодействующими полями внесенных ЗГД в теле зерен при их плотности р 1 0нм - 1, очень велика и составляет, например, 2 55 % при размере зерен равном 20 параметров кристаллической решетки. [27]

Рентгенограмма наноструктурной Си, полученной РКУ-прессованием, после отжига при Т 170 С в течение 90 мин. [28]

После ускоренного нагрева для всех состояний значения микроискажений заметно снижаются, однако соотношение между величинами Ad / d для исследованных структур сохраняется таким же, как для исходного состояния. Медленный нагрев полностью снимает микроискажения во всех исследованных объектах. [30]

Страницы: 1 2 3 4