Микрокомпозиция
Cтраница 1
Микрокомпозиции по электрическим свойствам приближаются к сплавам металлов. Наиболее широко в микрокомпозиционных пленочных резисторах используются смеси МЛТ-типа на основе хрома и кремния с добавками железа, никеля и алюминия. [1]
По своим свойствам к сплавам приближаются так называемые микрокомпозиции, в состав которых наряду с металлами вводятся или получаются в процессе изготовления полупроводники или диэлектрики. [2]
Увеличение процентного содержания диэлектрической фазы приводит к возрастанию удельного сопротивления микрокомпозиций с одновременным изменением величины ТКС в сторону отрицательных значений. Для каждого типа микрокомпозиций существует своя граничная концентрация диэлектрической фазы, при которой происходит резкое увеличение абсолютных значений ра и ТКС; обычно она соответствует 50 - 70 % содержанию окислов в пленке. [3]
Для получения резистивных пленок с поверхностным удельным сопротивлением 1 кОм / Q и более используют керметы, являющиеся частным случаем микрокомпозиций. В их состав входят благородный или тугоплавкий металл и диэлектрик. Высокая надежность таких резисторов обеспечивается особенностями структуры сплава, представляющего собой отдельные гранулы металла, находящиеся в аморфной массе диэлектрика. Проводимость в такой структуре осуществляется при высокой концентрации металла за счет контакта металлических гранул, а при большом содержании диэлектрика - за счет смешанного механизма проводимости, включающую металлическую проводимость, туннели-рование электронов через тонкие диэлектрические барьеры и термоэмиссию. [4]
Выбор Та2О5 в качестве диэлектрика обусловлен его высокой диэлектрической постоянной, высокой химической стойкостью, дающей возможность осаждать его с сохранением стехиометрического состава, что обеспечивает образование двухфазной микрокомпозиции металл - диэлектрик без дополнительных химических соединений. Изменение диэлектрической фазы от 30 до 70 % соответствует изменению величины поверхностного сопротивления на пять порядков. Необратимое изменение сопротивления может быть объяснено дальнейшей агрегацией островков золота, которая приводит к уменьшению проводящих цепочек. [6]
Материалы тонкопленочных резисторов можно условно разделить на несколько групп: резистивные материалы на основе чистых металлов, резистивные материалы на основе металлических сплавов, резистивные материалы на основе микрокомпозиций, кер-меты, полупроводниковые материалы и пр. [7]
Увеличение процентного содержания диэлектрической фазы приводит к возрастанию удельного сопротивления микрокомпозиций с одновременным изменением величины ТКС в сторону отрицательных значений. Для каждого типа микрокомпозиций существует своя граничная концентрация диэлектрической фазы, при которой происходит резкое увеличение абсолютных значений ра и ТКС; обычно она соответствует 50 - 70 % содержанию окислов в пленке. [8]
Установлено, что предел прочности и модуль упругости микрокомпозиции в точности соответствует значениям, определенным по правилу смесей; при этом разрушение инициируется в волокне, а не в матричном материале. [9]
В СССР в настоящее время разработаны комплексы специального технологического оборудования и контрольно-измерительной аппаратуры для тонкопленочной микроэлектроники, находящиеся на уровне лучших мировых образцов, а в ряде случаев превосходящие их. Технологи могут использовать широкую номенклатуру чистых материалов, специальных микрокомпозиций и сплавов для тонкопленочных элементов, которые расширяют возможности тонкопленочной технологии. В книге в определенной степени учитывается опыт отечественной микроэлектронной промышленности в части технологии, материалов и оборудования. [10]
В качестве проводящего компонента используются хром, золото, серебро, палладий, металлосилицидные сплавы. Диэлектрические компоненты - окислы кремния, алюминия, хрома, никеля, титана, диспрозия и других металлов. Наибольшее распространение получила микрокомпозиция Or - SiO, тонкие пленки которой изготовляют методом термического вакуумного испарения и конденсации. [11]
Страницы: 1