Микрорезистор

Cтраница 1

Внешний 1ид и посадочное место микрорезисторов. [1]

Микрорезисторы используются в тех случаях, когда необходимо иметь высокоомные прецизионные эле-мжты. [2]

Микрорезисторы группы С5, выполненные из манганинового микропровода диаметром 0 01 - 0 02 мм в стеклянной изоляции, имеют еще большие возможности применения в малогабаритной и миниатюрной РЭА. Их выпускают в обычном и тропическом вариантах. Как правило, проволочные микрорезисторы имеют ограниченный диапазон номиналов ( до 180 кОм и ниже), за исключением теплостойких малогабаритных резисторов С5 - 22, предназначенных для схем с печатным монтажом и микромодульных сборок. [3]

Пленочные микрорезисторы изготовляют путем осаждения в вакууме пленки из резистивного материала на твердое основание. Выводы, необходимые для хорошего электрического и механического контакта с резистивной пленкой, наносят вакуумным или химическим методом. Резистивный элемент защищают пленкой диэлектрика, наносимой также вакуумным способом, и слоем синтетической смолы. На первых этапах освоения технологии микрорезисторов, получаемых вакуумным осаждением, считалось, что защитные пленки из фтористого магния или окиси кремния существенно улучшают электрические характеристики. [4]

Внешний вид проволочных постоянных и переменных резисторов типа. а - ПТ-1. б - ППЗ-47. в - СП5 - 2. г - С5 - 22. [5]

В настоящее время разработаны проволочные микрорезисторы типа ПС. Они представляют собой монолитный элемент, полученный спеканием, который помещается в керамический корпус и заливается компаундом на основе эпоксидной смолы ЭД-5. [6]

В качестве оснований для микрорезисторов используются микроплаты. Микрорезисторы изготовляются по I, II и III классам точности. [7]

Широко применяются в гибридных СВЧ-ИМС объемные керамические микроконденсаторы, микрорезисторы, изготовляемые на отдельных керамических или полупроводниковых подложах, и даже объемные элементы типа электрически перестраиваемых резонаторов из железоиттриевого граната. [8]

В бескорпусных пленочных микросхемах применяют малогабаритные бескорпусные транзисторы и микрорезисторы в стеклянной изоляции. [9]

Внешний вид и посадочное. есто микрокондснсатора. [10]

Величины / х и & j определяются длиной и шириной посадочного места микрорезистора. Ниточный микрорезистор крепится и электрически соединяется с контактными площадками наплывом припоя. [11]

Важной особенностью микроэлектроники является разработка и внедрение методов предельного уменьшения физических размеров элементов микросхемы: микрорезисторов, диодов, транзисторов. Это приводит к увеличению функциональных возможностей микросхем, повышению их надежности и быстродействия, снижению потребления энергии. [12]

Установка навесных элементов на коммутационную плату во многом зависит от способов присоединения выводов к контактным площадкам, например пайка выводов микроконденсаторов и микрорезисторов не требует дополнительного укрепления. Обычно размеры устанавливаемых кристаллов ИМС ( и других радиокомпонентов) составляют не менее 0 3 X 0 3 мм и не более 10 X 10 мм. [13]

Впоследствии были разработаны микроминиатюрные компоненты - конденсаторы емкостью от 0 01 до 33 мкФ и размером от 1 2 х 1 X 0 6 до 2 х 8х 10 мм, микрорезисторы размером 1 3 х 1 3 х 3 мм и более, микроминиатюрные проволочные катушки индуктивности, дискретные полупроводниковые приборы и пр. Появилась возможность разработки микросборок, куда помимо бескорпусных ИМС, содержащих маломощные интегральные транзисторы и другие элементы схемы узла, входят дискретные навесные микроэлементы. Основанием микросборки является тонко - или толстопленочная коммутирующая плата. [14]

В качестве оснований для микрорезисторов используются микроплаты. Микрорезисторы изготовляются по I, II и III классам точности. [15]

Страницы: 1 2