Cтраница 1
Отражательные микроскопы, в которых аналогично отражательному металломикро-скопу изображение получается за счет потока электронов, отраженных от поверхности рассматри-иаемого объекта. [1]
![]() |
Схема хода лучей в световом ( а, электронном электромагнитном ( б и электронном электростатическом ( в микроскопах. [2] |
Отражательные микроскопы, в которых аналогично отражательному металломикро-скопу изображение получается за счет потока электронов, отраженных от поверхности рассматриваемого объекта. [3]
Принцип действия отражательных микроскопов основан на том, что электроны различно отражаются от тех поверхностей, на которые падают. Отраженные от исследуемой поверхности электроны направляются в электронные линзы, и мы видим на фотопластине или на экране эту поверхность сильно увеличенной. [4]
![]() |
Схема отражательного магнитного электронного микроскопа.| Распределение плотности электронов в отраженном пучке. [5] |
Другим недостатком отражательного микроскопа является искажение масштаба изображения, связанное с наклонным падением электронного пучка. Благодаря такому ходу пучка размеры поверхности в направлении, параллельном плоскости падения, получаются на изображении уменьшенными по отношению к размерам, перпендикулярным к этой плоскости. [6]
Зпитип [142] - обратный отражательный микроскоп, в котором предметный столик находится над объективом. При этом поверхность шлифа располагается на этом столике. [7]
Эпитип [142] - обратный отражательный микроскоп, в котором предметный столик находится над объективом. При этом поверхность шлифа располагается на этом столике. [8]
Эпитип [142] - - обратный отражательный микроскоп, в котором предметный столик находится над объективом. При этом поверхность шлифа располагается на этом столике. [9]
![]() |
Микроспектрометр марки Перкин-Эльмер. [10] |
Вызывает некоторое осложнение использование микроосветителя или отражательного микроскопа совместно с двулучевым спектрометром, в конструкции которого они не предусмотрены. [11]
На поверхность непрозрачного о бразца в отражательном микроскопе направляется под углом ( си) пучок электронов, который частично отражается и одновременно возбуждает вторичные излучения. [12]
Принцип действия этого прибора состоит в совмещении падающего и отраженного света в одном объективе отражательного микроскопа и в последующей фиксации изменения интенсивности света, пришедшего в плоскость изображения микроскопа от малого участка поверхности исследуемого образца. Измеренный магнитооптический эффект соответствует изменению намагниченности засвеченного участка поверхности при периодическом изменении внешнего магнитного поля. Переход от одного магнитооптического эффекта к другому путем изменения ориентации образца, плоскости падения и угла падения света, введения анализатора позволяет в принципе определить вклады различных слагающих намагниченности. Существенную информацию дает также и изменение амплитуды внешнего магнитного поля. [13]
Принцип действия этого прибора состоит в совмещении падающего и отраженного света в одном объективе отражательного микроскопа и в последующей фиксации изменения интенсивности света, пришедшего в плоскость изображения микроскопа от малого участка поверхности исследуемого образца. Измеренный магнитооптический эффект соответствует изменению намагниченности засвеченного участка поверхности при периодическом изменении внешнего магнитного поля. Переход от одного магнитооптического эффекта к другому путем изменения ориентации образца, плоскости падения и угла падения света, введения анализатора позволяет в принципе определить вклады различных слагающих намагниченности. Существенную информацию дает также и изменение амплитуды внешнего магнитного поля. [14]
В связи с тем, что количество электронов, рассеянных объектом на угол порядка 15 - 25 чрезвычайно мало, конечное изображение отражательного микроскопа, работающего при углах наблюдения 2 такого же порядка, получается очень темным. Положение усугубляется еще узостью апертурной диафрагмы объектива. Для увеличения яркости изображения применяется специальная электронная пушка, создающая в районе объекта пучок с повышенной плотностью электронного потока. [15]