Данный микроскоп - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если жена неожиданно дарит вам галстук - значит, новая норковая шубка ей уже разонравилась. Законы Мерфи (еще...)

Данный микроскоп

Cтраница 1


Данный микроскоп позволяет осуществлять переход от наблюдения микроскопической картины к наблюдению дифракционной картины с участка объекта ( пробы отложений волокнистого углеродного вещества) размером около 1 мк.  [1]

Ввиду наличия ряда существенных недостатков прибора, погрешности данного микроскопа не укладываются в нормы точности, утвержденные Комитетом; так, погрешность измерения угла, вызываемая несовпадением точки пересечения штрихов сетки с центром делений градусной шкалы, находится в пределах 2 вместо Г, а допустимая погрешность несовпадения точки пересечения штрихов с центром вращения сетки - в пределах 0 002 мм.  [2]

Отношение - - z - величина, постоянная для данного микроскопа, одного и того же фильтровального аппарата при пользовании одинаковым окуляром, объективом и сеткой.  [3]

Полученные нами некоторые типичные изображения фуллереноподобных молекул и фуллеренов были проанализированы в фирме - изготовителе данного микроскопа.  [4]

Для предотвращения переутомления и порчи зрения при мик-роскопированми и пользовании другими оптическими приборами необходимо обеспечить правильное освещение поля зрения, предусмотренное для данного микроскопа или прибора, не закрывать неработающий глаз, работать попеременно то одним, то другим глазом и делать перерывы в работе при утомлении зрения.  [5]

6 Внешний вид вакуумной рабочей и микроскопа МВТ. [6]

На последней укреплен вертикальный металлографический микроскоп 4 типа МВТ, освоенный в серийном производстве Ленинградским опытным оптико-механическим заводом и специально предназначенный для работ в области высокотемпературной металлографии. Особенностью данного микроскопа является возможность координатного перемещения его тубуса с оптической и осветительной системами, неподвижно закрепленного в вакуумной камере относительно образца, а также применение объективов системы И. А. Ан-дина, имеющих большое рабочее расстояние.  [7]

Для того чтобы узнать истинную толщину диффузионного слоя, определяют цену деления окулярного микрометра. Для этого окуляр данного микроскопа переносят в другой микроскоп, снабженный таким же объективом, как и микроскоп для определения толщины диффузионного слоя.  [8]

Разность между результатами отсчетов, умноженная на поправочный коэффициент, дает искомое значение толщины частицы. Поправочный коэффициент определяют сопоставлением результата измерения эталонного покровного стекла с известной толщиной. Например, известно, что толщина эталонного покровного стекла равна 0 17 мм, а измеренная по разности результатов отсчетов на измерительном барабане микрометрического механизма для данного микроскопа составляет 0 184 мм.  [9]

После проведения экспериментального исследования кинетики кристаллизации аллюмоаммонийных квасцов можно было сделать выводы: 1) с увеличением времени пребывания кристалла в аппарате размер его увеличивается; 2) во всех экспериментах с увеличением числа оборотов средний размер кристаллов увеличивается, что свидетельствует о росте кристалла, происходящем в диффузионной области; 3) во всех экспериментах с меньшей скоростью охлаждения ( расходом охлаждающей воды) функция распределения кристаллов по размерам двугорбая, что свидетельствует о наличии вторичного зародышеобразования. Из рассмотрения кристаллов квасцов под микроскопом МБИ следовало, что они не дробятся и не агрегируют. Наличие не очень сильного второго горба в функции распределения и отсутствие явлений явного дробления свидетельствует в пользу гипотезы вторичного зародышеобразования путем истирания кристаллов несущей фазы; 4) почти во всех экспериментах с большей скоростью охлаждения функция распределения с одним горбом. Увеличение данного микроскопа недостаточно для фиксирования этих вторичных центров.  [10]

При работе по светлопольному методу часть электронов беспрепятственно проходит через апертурную диафрагму объективной линзы и в виде прямого неотклоненного луча падает на флюоресцентный экран. Электроны же, попавшие при прохождении объекта на плотные кристаллические участки и рассеянные последними, до флюоресцирующего экрана не доходят и в создании конечного изображения не участвуют. Лучи, беспрепятственно дошедшие до экрана, обусловливают возникновение на нем светлого фона, окаймляющего темные места - участки, отвечающие по форме плотным частичкам объекта. При светлополыюм - методе - достигается максимальное увеличение для данного микроскопа.  [11]



Страницы:      1