Туннельный микроскоп

Cтраница 1

Симулированный ( а и экспериментальный электронно-микроскопический снимок ( б ориентированного по поверхности ( 111 кристалла искусственного Y - А1 - граната суммарного состава YsAIsO ( также. [1]

Туннельный микроскоп был успешно применен для изучения окисление-поверхности металлов. В частности, получена тонкая картина расположения-отдельных атомов кислорода, адсорбированных на поверхности никеля. [2]

Сканирующий туннельный микроскоп - первый прибор, благодаря которому возможности нанотехнологических исследований были существенно расширены. [3]

Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа ( СТМ) показан на рис. 3.29. Очень тонкое металлическое острие, укрепленное на блоке пьезоэлектрических датчиков, располагается на очень близком расстоянии от исследуемой поверхности. Если между острием и поверхностью прикладывается разность потенциалов и расстояние между ними t достаточно мало, то между ними может возникнуть электронный ток за счет квантовомеханического туннелирования. [4]

Создал первые в СССР туннельные микроскопы. [5]

ИМ, изобретают сканирующий туннельный микроскоп. [6]

Зависимость I, dljtiV и d2IjdVl от смещения У для кремниевого диода при 4 2 К. [7]

Она базируется на использовании сканирующего туннельного микроскопа, где туннельный ток локализуется в области размерами порядка атомных. Это позволяет выявить расположение максимумов волновых ф-ций электронов относительно двумерной кристаллич. В многослойных пленках, гетеропереходах, сверхрешетках и др. возможно также выявление и спектроскопия отд. [8]

В настоящее время с помощью сканирующих туннельных микроскопов получены детальные изображения поверхностей многих кристаллических и полимерных материалов с атомным разрешением. [9]

Зависимость электросопротивления от температуры для сплава Fe-40 % Ni - 14 % P - 6 % В в аморфном ( / и кристаллическом ( 2 состояниях. [10]

Явление холодной эмиссии используется в сканирующем туннельном микроскопе с разрешающей способностью 0 1 - 0 2 нм. [11]

Параметры шероховатости поверхности. [12]

Особый интерес для изучения субмикро-шероховатости представляет сканирующий туннельный микроскоп. Принцип работы туннельного микроскопа заключается в том, что между металлической иглой и поверхностью, над которой она перемещается, под действием приложенного напряжения за счет туннельного эффекта возникает ток. Сила тока зависит от величины зазора. Если напряжение поддерживать постоянным, то для сохранения постоянной силы тока необходимо перемещать иглу, сохраняя зазор неизменным с помощью системы обратной связи. Отслеживая движение иглы, получаем профиль поверхности. [13]

Созданные в начале 80 - х годов сканирующие туннельные микроскопы ( СТМ) позволяют получать изображения как поверхности твердых тел, так и отдельных атомов, адсорбированных на этой поверхности. При этом СТМ имеют недоступное прежде разрешение. В эксперименте туннельный ток / между кончиком иглы и металлической подложкой измеряется как функция приложенного напряжения С /, расстояния от иглы до подложки и положения вершины иглы. При фиксированном расстоянии дифференциальный кондактанс dl / dU непосредственно воспроизводит локальную плотность состояний на поверхности. [14]

Замечательные возможности в этом направлении представляет недавно появившийся сканирующий туннельный микроскоп. [15]

Страницы: 1 2