Высокотемпературная микроскопия

Cтраница 1

Высокотемпературная микроскопия позволяет изучать кинетику процессов, происходящих при пайке: смачивания, растекания припоев, диффузионных процессов, происходящих на поверхности, возникновения или роста фаз при контактном плавлении, рекристаллизации. [1]

Высокотемпературная микроскопия позволяет изучать кинетику процессов, происходящих при пайке: смачивание, растекание припоев, диффузионные процессы, возникновение или рост фаз при контактном плавлении, рекристаллизацию. [2]

При высокотемпературной микроскопии образцы не подвергают предварительному травлению. [3]

Метод: высокотемпературная микроскопия, термический; % ( мол. Поверхность ликвидуса состоит из полей компонентов. [4]

Метод: высокотемпературная микроскопия, термический. [5]

Метод: высокотемпературной микроскопии, термический. [6]

Метод [3]: высокотемпературная микроскопия, термический; % ( мол. [7]

Ряд установок для высокотемпературной микроскопии разработан Институтом машиноведения АН СССР. [8]

Термическое травление в газовой атмосфере или высоком вакууме непосредственно связано с высокотемпературной микроскопией. Чтобы избежать изменений химического состава стали, происходящих при использовании диффузионных методов, Обер-хоффер и Хегер [46] и позднее Дэй и Остин [47] разработали способ термического травления. Тщательно отполированный образец нагревают в вакууме или атмосфере защитного газа ( например, осушенного и очищенного водорода) и затем сразу же, не допуская его контакта с внешней средой, закаливают в ртутной ванне. Шеки [48] для выявления границ зерен аустенита использовал содержащую кислород струю азота. [9]

В последние годы в исследовательской практике для изучения кристаллизационной способности стекол используют также высокотемпературную микроскопию. [10]

Lentopan-Pol и U n i v а г ( Австрия) - универсальные фотомикроскопы, предназначенные для всех известных методов исследования в отраженном и проходящем свете: в светлом поле, темном поле, поляризованном свете, при фазовом контрасте, флуоресценции, можно производить микрофотографирование, микрокиносъемку, микротелевидение, микропроекцию, спектральную микрофотометрию, испытание на микрогвердость, высокотемпературную микроскопию, измерение крупности зерна, интерферометрию. При исследовании применяют низковольтные лампы мощностью 30 Вт, низковольтные галогенные лампы 100 Вт, ксеноновые излучатели высокого давления, ртутные газоразрядные лампы сверхвысокого давления, фотоосветительные устройства для микрофотографирования. [11]

В образцах, нагретых до высоких температур, не удается отличить одни элементы структуры от других. Поэтому в высокотемпературной микроскопии необходима подсветка от источников света с более высокой цветовой температурой. Такими источниками являются, в частности, ртутные и ксеноновые лампы. [12]

Построение диаграмм состояния статическим методом. [13]

Несмотря на указанную трудоемкость, статический метод в настоящее время является основным и наиболее точным экспериментальным методом построения диаграмм состояния силикатных систем. Уменьшить трудоемкость этого метода позволяет использование высокотемпературной микроскопии и высокотемпературного рентгеновского анализа, позволяющих определять состав и содержание фаз в образце непосредственно при высокой температуре. [14]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии; кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [15]

Страницы: 1