Микросхема - повышенная степень - интеграция
Cтраница 1
 |
Установка микросхем с учетом Направления воздушного потока.| Варианты установки микросхем на платы. [1] |
Микросхемы повышенной степени интеграции ( третьей и более) часто устанавливают на теплоотводящее металлическое основание ячейки или индивидуальные радиаторы. [2]
Для микросхем повышенной степени интеграции емкость увеличивают до 0 1 мкФ и устанавливают конденсаторы около каждой микросхемы. Для повышения помехоустойчивости отдельные проводники, а также микросхемы и навесные радиодетали могут быть экранированы. [3]
При использовании микросхем повышенной степени интеграции необходимость в синтезе указанных типовых структур иногда отпадает, поскольку они могут входить в состав серий. [4]
Другое направление в разработке и производстве микросхем повышенной степени интеграции использует полупроводниковую технологию. Все элементы изготавливают в объеме полупроводниковой пластины и затем соединяют в требуемую схему с помощью тонких проводящих пленочных полосок, нанесенных на поверхность окисленной пластины. Межсоединения выполняют обычно по методу избирательного монтажа, при котором предварительно осуществляют на каждой пластине проверку годности элементов, после чего с помощью ЭВМ составляют схему межсоединений и затем только осуществляют межсоединения. [5]
На практике функции счетчиков и делителей выполняют специально разработанные микросхемы повышенной степени интеграции. [6]
Наряду с широко известными интегральными микросхемами, составившими основу элементной базы ЕС-1033, были использованы микросхемы повышенной степени интеграции, разработка которых велась в рамках проекта ЕС-1033 параллельно в проектированием машины. Следует отметить, что в процессе проектирования определились дополнительные требования к элементам ЭВМ, реализация которых способствовала расширению возможностей их применения. [7]
Его разработка была обусловлена, прежде всего, совершенствованием элементной базы, появлением микросхемных полупроводниковых запоминающих устройств и микросхем повышенной степени интеграции. Специализация здесь, кроме применения аппаратных средств ( как и в случае интеграторов), достигалась наличием жесткого набора программ обработки, расположенных в блоке постоянной памяти, при очень ограниченных возможностях их модернизации и смены. Все это позволило создать устройство, заполнившее разрыв между системами с интеграторами и системами, ориентированными на ЭВМ, свободное от недостатков как тех, как и других. По сравнению с обычными у вычислительных интеграторов нали-памяти и процессора позволяет организовать лучшее по-шумов, оптимизировать условия обработки и довести ее до получения результатов количественного анализа. Однако следует помнить, что ВИ дороже обычных интеграторов и их применение оправдано при высоких коэффициентах загрузки хроматографа или большом количестве анализаторов. [8]
Стремительное развитие цифровых методов обработки информации обусловлено успехами интегральной технологии, позволяющей изготовлять цифровые микросхемы, содержащие десятки тысяч логических элементов. Использование микросхем повышенной степени интеграции существенно улучшает основные технико-экономические характеристики аппаратуры. Во-первых, значительно уменьшается число внешних соединений из-за большей функциональной сложности самих микросхем. Поскольку в микроэлектронной аппаратуре они являются одной из основных причин ее отказов, то их уменьшение при использовании микросхем повышенной степени интеграции позволяет повысить надежность аппаратуры. Во-вторых, сокращается общая длина соединений между элементами. Задержка сигнала на каждые 30 см соединений равна 1 не. [9]
Вместе с тем, микросхемы повышенного уровня интеграции обладают особенностями, осложняющими разработку аппаратуры на их основе, например, возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует специальных мер по обеспечению теплоотвода, а при удельной мощности выше 2 Вт / см2 - принудительного охлаждения. Меньшая универсальность микросхемы повышенной степени интеграции ограничивает объем их выпуска, и следовательно, увеличивает их стоимость. При повышении плотности упаковки усиливается электромагнитная связь между элементами, что приводит к снижению устойчивости работы устройства. [10]
 |
Варианты теплоотвода. [11] |
При применении же микросхем повышенной степени интеграции, как правило, следует принимать специальные меры по созданию теплоотвода. [12]
Во-первых, значительно уменьшается число соединений в аппаратуре из-за большей функциональной сложности самих микросхем. Так как контактные соединения являются одной из основных причин отказов микроэлектронной аппаратуры, то использование микросхем повышенной степени интеграции позволяет улучшить надежность аппаратуры на один-два порядка по сравнению с аппаратурой на микросхемах малой интеграции. Во-вторых, сокращается суммарная длина соединительных линий между элементами, снижаются паразитные емкости нагрузок и, следовательно, повышается частотный диапазон аппаратуры. [13]
Во-первых, значительно уменьшается число соединений в аппаратуре из-за большей функциональной сложности самих микросхем. Так как контактные соединения являются одной из основных причин отказов микроэлектронной аппаратуры, то использование микросхем повышенной степени интеграции позволяет улучшить надежность аппаратуры на один-два порядка по сравнению с аппаратурой на микросхемах малой интеграции. [14]
Стремительное развитие цифровых методов обработки информации обусловлено успехами интегральной технологии, позволяющей изготовлять цифровые микросхемы, содержащие десятки тысяч логических элементов. Использование микросхем повышенной степени интеграции существенно улучшает основные технико-экономические характеристики аппаратуры. Во-первых, значительно уменьшается число внешних соединений из-за большей функциональной сложности самих микросхем. Поскольку в микроэлектронной аппаратуре они являются одной из основных причин ее отказов, то их уменьшение при использовании микросхем повышенной степени интеграции позволяет повысить надежность аппаратуры. Во-вторых, сокращается общая длина соединений между элементами. Задержка сигнала на каждые 30 см соединений равна 1 не. [15]
Страницы: 1