Cтраница 1
Микросхемы ТТЛ высокой степени интеграции ( БИС, СБИС) потребляют более 100 мА на один корпус. На рис. 6.3 показаны значения входных и выходных токов в соответствии с логическими состояниями. [1]
Повышенное шумопоглощение, модульный шкаф управления на базе микросхем средней и высокой степени интеграции, продолжительность работы без наблюдения и обслуживания - 12 ч, возможность использования генераторов ГС 30 - 50 ( г. Курск), БГ-30 ( пгт. [2]
Цифрой 7 обозначаются бескорпусные интегральные микросхемы, в том числе и микросхемы высокой степени интеграции. [3]
Наряду с использованием в аналоговой аппаратуре узлов, созданных на базе логических ИМС ( цифровое табло, синтезаторы частоты, цифровая передача данных), разработаны микросхемы высокой степени интеграции, выполняющие функцию целого аналогового узла РЭА. [4]
Выполнение соединений в ИМС даже средней степени интеграции в одном слое металлизации весьма затруднительно. В микросхемах высокой степени интеграции это еще сложнее, поэтому приходится выполнять коммутацию в двух, трех и более слоях. Многослойная коммутация требует нанесения диэлектрических слоев поверх уже сформированных слоев. Такие диэлектрические слои невозможно получить окислением материала подложки, они образуются осаждением двуокиси кремния из газовой фазы или оплавлением кремниевого бесщелочного стекла, нанесенного в виде порошка. [5]
Внутренняя структура микросхемы не может быть изменена разработчиком в целях обеспечения ее эффективного функционирования в конкретном узле аппарата. По этой причине микросхемы высокой степени интеграции оказываются узкоспециализированными, что вызывает при разработке аппаратуры резкий рост числа необходимых типов БИС, а при ограниченном применении каждого типа возникает вопрос о целесообразности их производства вообще. [6]
Учитывая сказанное, можно сделать вывод, что однокристальные БИС с фиксированными соединениями целесообразно разрабатывать в случае использования их в изделиях, предназначающихся для массового выпуска. Между тем, есть и другой путь создания микросхем высокой степени интеграции - это метод базовой матрицы соединений. [7]
Применение цифровых микросхем по сравнению с аналоговыми характеризуется рядом особенностей. Цифровые микросхемы имеют большую функциональную законченность и универсальность, что позволяет создавать аппаратуру с минимальным количеством дискретных компонентов. При этом в значительной степени облегчается монтаж и его автоматизация. Особенно это касается микросхем высокой степени интеграции. [8]
Это позволило практически избавиться от одного из главных недостатков датчиков - ложных срабатываний, снижающих их эффективность. Надежность, т.е. время наработки на отказ, за счет применения микросхем высокой степени интеграции, также резко выросло и достигает нескольких лет. В тоже время стоимость датчиков охранной сигнализации не выросла, а, наоборот, имеет постоянную тенденцию к снижению. [9]
Нанесение сплошной пленки алюминия выполняется после вытравливания в слое двуокиси окон под контакты. Осаждение алюминия происходит в термической вакуумной установке. При этом алюминий соприкасается с кремнием через контактные окна. Однако прочное соединение алюминия с кремнием получается после операции вплавления, которая происходит при температуре порядка 500 С. Окончательное формирование проводников коммутирующего слоя и контактных площадок производится методами фотолитографии. В микросхемах средней и высокой степени интеграции соединения приходится выполнять в нескольких слоях. В этом случае непосредственно с контактными областями кристалла соединяются только проводники нижнего слоя. Последующие слои играют роль перемычек между этими проводниками и контактными площадками. [10]