Микросхема - повышенный уровень - интеграция
Cтраница 1
Микросхемы повышенного уровня интеграции имеют пв сравнению с микросхемами малого уровня интеграция значительно лучшие габаритные характеристики, меньшую стоимость в расчете на одно функциональный элемент, а также ряд других преимуществ, благодаря которым удается существенно улучшить основные технико-экономические характеристики аппаратуры. [1]
Появление микросхем повышенного уровня интеграции, наличие тщательно составленных инструкций, хорошо подобранной системы параметров на микросхемы, а также применение методов микросхемотехники избавляет разработчика от расчета отдельных каскадов и даже крупных функциональных узлов. Печатные и тем более тонкопленочные коммутационные платы минимизируют паразитные параметры, делают их стабильными и воспроизводимыми. Уменьшению паразитной связи способствует планарная конструкция микросборок, уменьшение габаритов компонентов, уменьшение числа моточных изделий. [2]
Параметры конструкции микросхем повышенного уровня интеграции, располагаемые на двух слоях платы, могут быть рассчитаны по следующим формулам. [3]
Кроме того, микросхемы повышенного уровня интеграции имеют по сравнению с микросхемами малого уровня интеграции меньшие размеры и более низкую стоимость в расчете на один функциональный элемент. [4]
Вместе с тем, микросхемы повышенного уровня интеграции обладают особенностями, осложняющими разработку аппаратуры на их основе, например, возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует специальных мер по обеспечению теплоотвода, а при удельной мощности выше 2 Вт / см2 - принудительного охлаждения. Меньшая универсальность микросхемы повышенной степени интеграции ограничивает объем их выпуска, и следовательно, увеличивает их стоимость. При повышении плотности упаковки усиливается электромагнитная связь между элементами, что приводит к снижению устойчивости работы устройства. [5]
Вместе с тем, микросхемы повышенного уровня интеграции обладают особенностями, осложняющими разработку аппаратуры на их основе, например, возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует специальных мер по обеспечению теплоот-вода, а при удельной мощности выше 2 Вт / см2 - принудительного охлаждения. [6]
Вместе с отмеченными достоинствами микросхемы повышенного уровня интеграции имеют целый ряд особенностей, которые осложняют их разработку, изготовление и применение. Например, возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует принятия специальных мер по обеспечению теп-яоотвода, а при удельной мощности выше 20 Вт / сме - - применения принудительного - охлаждения. Важной задачей при этом становится разработка функциональных структур, применение функциональных элементов и режимов, которые давали бы возможность снизить затраты энергии, приходящейся на одну выполняемую функцию. [7]
Существует два направления в разработке микросхем повышенного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной технологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектрической подложке. Бескорпусные микросхемы по сравнению с их аналогами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз в по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на многослойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. [8]
Конструктивно цифровые счетчики могут быть выполнены в виде совокупности интегральных микросхем-триггеров, определенным образом соединенных, и в виде одной микросхемы повышенного уровня интеграции, содержащей сформированную на единой подложке схему многоразрядного счетчика. [9]
 |
Преобразователь двоично-десятичного кода в семиэлементный код для управления индикатором.| Цифровой компаратор 5. [10] |
Существует еще один способ построения кодопреобразователя - соединение дешифратора и шифратора. Этот способ целесообразно применять тогда, когда удается подобрать микросхемы повышенного уровня интеграции, содержащие шифратор и дешифратор с заданными кодами. В частном случае длина кодов может быть одинаковой. [11]
 |
Зависимость допустимого перегрева воздуха от удельной мощности рассеяния ( / - герметичный блок. 2 - естественное охлаждение. 3 - принудительное охлаждение. [12] |
В микроэлектронной аппаратуре, которая характеризуется большой плотностью элементов, особенно при использовании микросхем повышенного уровня интеграции, значительное внимание должно быть уделено вопро - сам создания необходимого теплового режима. Он определяется выделяемой мощностью и условиями охлаждения. [13]
Страницы: 1