Интегральная гибридная микросхема

Cтраница 1

Интегральная гибридная микросхема К2УС248 ( рис. 104, а) имеет рабочий диапазон частот 4 - 10 МГц и используется преимущественно в канале УПЧЗ телевизора. [1]

Интегральная гибридная микросхема К2ЖА243 ( рис. 92, а) содержит диодный детектор, преобразующий модулированный по амплитуде ВЧ ( ПЧ) сигнал в низкочастотный, диодный детектор АРУ и усилитель АРУ. [2]

Интегральная гибридная микросхема К2ЖА372 предназначается для использования в су пер гетеродинных радиовещательных приемниках без УКВ диапазона. Она содержит элементы широкополосного усилителя ПЧ, детектора AM сигналов и системы АРУ. [3]

Интегральные гибридные микросхемы К2УС245, К2УС371 и К2УС372 представляют собой предварительные рези-стивные усилители для бестрансформаторных УНЧ радиовещательных приемников, электрофонов и тому подобных бытовых звуковоспроизводящих устройств. [4]

Интегральную гибридную микросхему К2ДС241 ( рис. 89, а) используют в качестве основы детектора отношений канала звукового сопровождения телевизора или радиовещательного приемника при приеме на УКВ. [5]

Более подробные сведения об интегральных и гибридных микросхемах приведены в соответствующих справочниках. [6]

Машина третьего поколения Наири-3 выполнена на интегральных гибридных микросхемах, что по сравнению с полупровод-виковыми ЭВМ дало возможность уменьшить габариты и вес машины и увеличить ее надежность. Наири-3 отличается много-программностью и способностью одновременно решать несколько различных задач. [7]

Даны рекомендации по применению бескорпусных полупроводниковых приборов в интегральных гибридных микросхемах. [8]

Предназначены для использования в радиотехнических устройствах широкого применения в составе интегральных гибридных микросхем с общей герметизацией. Масса транзистора 0 002 г. Выводы - проволочные. [9]

Каскодная схема резонансного усилителя на интегральной микросхеме. [10]

На рис. 12.15 приведена принципиальная схема резонансного кас-кодного усилителя на интегральной гибридной микросхеме К. Транзистор 77 включен по схеме ОЭ, а транзистор Т2 - по схеме ОБ. [11]

Конденсаторы К22У - 3 - стеклокерамические конденсаторы, со стеклокерамическим пленочным диэлектриком, предназначены для работы в интегральных гибридных микросхемах. [12]

Температурная зависимость тангенса угла потерь высокочастотных стеклокерамических конденсаторов. [13]

Температурные зависимости емкости стеклокерамиче-ских пленочных конденсаторов типа К22У - 1 и К22У - 2 и пленочных конденсаторов для интегральных гибридных микросхем типа К22У - 3 аналогичны вышеприведенным для стеклокерамических конденсаторов СКМ. [14]

Рассмотрены конструктивные варианты и технологическая защита бескорпусных полупроводниковых приборов. Приведены особенности их монтажа и защиты в интегральных гибридных микросхемах, а также основные параметры ряда транзисторов и диодов в бескорпусном исполнении. [15]

Страницы: 1