Совмещенная микросхема

Cтраница 1

Совмещенная микросхема - комбинированная интегральная полупроводниковая микросхема, в которой некоторые элементы ( обычно пассивные) наносятся на поверхность подложки ( кристалла) методами пленочной технологии. [1]

Совмещенная микросхема - это комбинированная полупроводниковая интегральная микросхема, в которой отдельные элементы ( обычно пассивные) вы-лолняют на поверхности кристалла методами пленочной технологии. [2]

В совмещенных микросхемах применяют пленочные резисторы, изготовляемые с помощью фотолитографии. В качестве материала пленок используют нихром, который очень стабилен, особенно если герметизация микросхем производится в инертной атмосфере, и имеет хорошую адгезию со слоем двуокиси кремния. [3]

Разновидностью полупроводниковых являются совмещенные микросхемы, в которых транзисторы размещают в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды, как и проводники, - на слое диоксида кремния. [4]

Совмещенные полупроводниковые микросхемы ( или просто совмещенные микросхемы) - микросхемы, в которых большая часть входящих в схему элементов выполнена методами полупроводниковой технологии в объеме полупроводниковой пластины, а часть элементов ( обычно резисторы, конденсаторы и соединительные проводники) выполнена на поверхности полупроводника методами пленочной технологии. [5]

Проводники соединений, а в совмещенных микросхемах резисторы и конденсаторы получают нанесением на поверхность пластин пленок. Геометрия легированных областей и тонкопленочных слоев задается масками, формируемыми с помощью литографии. [6]

Совмещенная микросхема. [7]

Наиболее полно использованы преимущества микроэлектроники в так называемых совмещенных микросхемах путем комбинации Технологии полупроводниковых и пленочных схем. [8]

Однако в связи с тем, что эта технология требует выполнения ряда дополнительных технологических операций, стоимость совмещенных микросхем выше стоимости обычных, что несколько ограничивает их применение. Преимущества совмещенных схем особенно проявляются в микроваттных схемах, где необходимы высокие номиналы резисторов при относительно малых их размерах, низкие температурные коэффициенты сопротивлений и паразитные распределенные емкости резисторов. Благодаря правильно выбранной комбинации тонкопленочных и полупроводниковых микросхем возможно создание цифровых микросхем с очень высоким быстродействием. [9]

Кроме того, используются диоды на основе р-п переходов и переходов металл - полупроводник ( диоды Шотки), полупроводниковые резисторы, пленочные резисторы ( в совмещенных микросхемах), изготавливаемые, например, в поликристаллическом слое кремния, и в редких случаях - конденсаторы небольшой емкости. Другие элементы формируются в аналогичных слоях одновременно с транзисторами. Использование пассивных элементов ( резисторов, конденсаторов) ограничено, так как по сравнению с транзисторами они занимают большую площадь на кристалле. [10]

В обычной полупроводниковой микросхеме вся рассеиваемая мощность выделяется в кремниевом кристалле, что вызывает повышение его температуры и снижение надежности из-за тепловых перегрузок. В совмещенной микросхеме рассеиваемая мощность распределяется между тонкопленочными резисторами и кремниевым кристаллом. [11]

В полупроводниковых интегральных микросхемах обычно используются два типа конденсаторов: конденсаторы на основе р-п-яереходов и оксидные конденсаторы со структурой металл - окисел кремния - полупроводник. В совмещенных микросхемах применяют также тонколленочные конденсаторы. Конденсаторы любого типа характеризуются следующими основными параметрами: номиналом С, удельной емкостью на единицу площади Суд, технологическим разбросом емкостей АС, рабочим напряжением t / p и температурным коэффициентом емкости ТКЕ. Конструкции конденсаторов должны обеспечивать максимальное значение Суд, что позволяет создавать емкости больших номиналов на малых площадях. Следует отметить, что целый ряд микросхем, например логических, разрабатывается с - минимальным числом конденсаторов. Это связано с тем, что площадь, занимаемая конденсаторам, значительно превышает площадь, отведенную под транзистор. [12]

Страницы: 1